智能单片线性锂离子电池充电器IC设计

动，减小充电电流。以降低芯片的功耗。

　　2.3 最坏情况下电池最终充电电压仿真数据

　　为确保即使在最坏情况下，锂离子电池最终充电电压达到要求，对全电路进行了电阻的所有corner RES_TT,RES_FF,RES_SS与MOSFET的所有cornerTT,FF,FS,SF,SS的交叉仿真，仿真后得到如表2和表3所示的电池最终充电电压的典型情况与最差情况。其中，表3是在基准电压2.485 V未进行微调情况下仿真得到的结果，表4是在对基准电压2.485 V微调后得到的仿真结果。

　　由表2、表3的仿真结果可知电池的最终充电电压的仿真结果符合设计要求其精度如下：

　　（1）VREF微调后，SEL=0或Vcc时，VBAT可控制在4.1 V或4.2（1±0.4%）V.

　　（2）VREF不进行微调时，SEL=0或VCC时，VBAT可控制在4.1 V或4.2（1±0.8%）V.

　　3 结论

　　该芯片具有充电速度快、对电池保护功能强、低成本等特点，是较为实用的智能化锂电池充电器芯片。