基于SOI高压集成技术的电平位移电路设计
时间：09-06
来源：电源技术应用 作者：傅达平，王 猛，胡
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是高压nLDMOS的开态耐压。得到高压nLDMOS的关态击穿电压215V，开态击穿电压140V，阈值电压24V;高压pLDMOS的关态击穿电压200V，开态击穿电压160V，阈值电压-1V。
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