受益于5G，RF-SOI市场规模未来5年将翻番

随着移动通信技术向前演化，射频前端模块越来越复杂，射频开关、低噪放大器（LNA）以及滤波器等使用数量越来越多，这为射频器件产业链打开了很多机会。

9月27日，2017国际RF-SOI论坛在上海召开，该论坛由上海新傲科技与国际SOI产业联盟共同主办。成立于2007年的SOI产业联盟，是一家非营利机构，聚集了各类从事SOI基础技术开发应用的公司，旨在促进SOI技术的发展并加速SOI市场成长。该机构涵盖材料、设备、制造、IP、设计、以及IC应用等产业链各环节，并有众多学术界机构参与，目前全球有28家成员单位。

围绕RF-SOI（射频-绝缘层上硅）技术，Tower Jazz、索尼、中国移动、锐迪科、中芯国际、格芯（GlobalFoundries）和新傲科技等公司先后发表演讲，从材料、器件、产品设计到终端应用等方面来讲述RF-SOI技术在射频应用中的重要性。

上海新傲科技总经理王庆宇博士（中）接受媒体采访

TowerJazz CEO Russell Ellwanger认为，RF-SOI技术是实现射频开关的理想技术，引入载波聚合和多入多出（MIMO）技术的4G通信已经促使RF-SOI市场发展驶入快车道，5G真正实施时，这一趋势也将延续。

索尼半导体方案公司总经理Hidetoshi Kawasaki则表示，MIMO和载波聚合导致天线配置复杂度增加，孔径调谐和阻抗匹配器件都成为必需，利用索尼独家高功率SOI技术，天线调谐器件可实现小尺寸（成本低）和高性能兼得。

Peter A Rabbeni对2017年第四季度量产的45纳米RF-SOI工艺信心十足，作为格芯射频事业部高级商务开发和产品线管理总监，Peter多次代表格芯参加国际RF-SOI论坛。他表示，相比旧工艺，格芯的新工艺优势明显，射频开关性能可以提升50%，而芯片面积可以节省40%至50%。非常适合5G毫米波应用，也可以实现更高的集成度，例如在一颗芯片中集成开关、LNA和功率放大器（PA）。

"我们就是要建立这样一个生态系统，通过全生态链讨论，了解应用端真正需要什么，然后根据技术指标反推对器件和材料的要求。"上海新傲科技总经理王庆宇博士在接受媒体采访时表示，当前半导体整体市场增长率已经放缓到个位数，但SOI市场发展良好，每年增长率将保持在两位数，未来4到5年整个市场规模将翻一番。

为应对市场需求上涨趋势，新傲科技已经准备扩产。到2017年底，新傲SOI年产量将达10万片，预计2018年中可以达到15万片，8英寸SOI硅片最终产能规划为40万片每年。新傲已经建好的二期厂房将瞄准12英寸硅片，规划产能为60万片每年。