Peregrine：UltraCMOS高频产品扩展至以往GaAs主导频段

Peregrine（派更半导体）规模并不大，在被村田收购前，营收规模约为2亿美元，是一家小而有特色的射频技术公司，派更半导体的特色就在于其UltraCMOS技术。

派更半导体创始人Ron Reedy 与 Mark Burgener等是RF SOI（射频绝缘体上硅）技术的发明者，UltraCMOS技术源于Ron Reedy、Mark Burgener与Graham Garcia在1988年发表的一篇论文，在该论文中，他们提出了一种利用蓝宝石SOI衬底制造射频CMOS器件的技术， 以满足当时射频技术发展对器件性能与集成度的要求，这就是后来的UltraCMOS技术，用派更半导体的话描述即UltraCMOS是"更高级的SOI技术"。

传统射频或混合信号器件多采用GaAs（砷化镓）或硅锗（SiGe）及BiCMOS等工艺，采用CMOS工艺的UltraCMOS（即RF SOI）器件在可靠性、成本、良率与集成度上都有优势，性能也不输GaAs或者SiGe，派更的UltraCMOS技术经过20多年的发展，在性能上也越来越好。

特别是如今多模多频射频器件的流行，让GaAs工艺受到不少挑战，要提高线性度，GaAs技术就必须增加插入损耗和芯片面积（与成本直接相关），UltraCMOS具备将一组场效应管集成在单颗SOI裸片的能力，所以在线性度、谐波等指标上，现在的GaAs产品性能难以达到派更UltraCMOS水准。

在2017年电子设计创新大会（EDI CON）上，派更发布了几款基于UltraCMOS技术的新产品，包括100瓦功率限幅器、60GHz开关以及兼具高性能与高掷数的开关等。

PE45361是派更半导体首款利用ULtraCMOS技术开发的100瓦功率限幅器，突破了RF SOI技术对功率处理的局限，相比过去50瓦的功率限幅器，PE45361具备更高的脉冲功率处理能力、更低的限幅阈值及正向阈值控制功能。

据派更高性能模拟射频市场产品经理James Lee介绍，与GaAs工艺PIN二极管分立式功率限幅器方案相比，UltraCMOS功率限幅器可保护设备不会受到过高RF功率、故意干扰及ESD事件的损害。

PE42525和PE426525已经量产，这是业内首个达到60GHz工作频率的RF SOI开关产品系列，该系列产品将派更的高频产品组合扩展至以往由GaAs技术主导的频段。据James Lee介绍，与GaAs开关比较，UltraCMOS 60GHz开关在包括带宽、插入损耗、隔离度、线性度、开关时间、ESD和工作温度范围等所有关键指标上，都有优势。PE42525使用于5G系统中测试与测量（T&M）设备、微波回传解决方案及更高频率开关等领域，PE426525扩展了适用温度区间（达到-55℃至125℃），成为工业市场中严苛环境应用的首选。

PE42562、PE42582和PE42512等高掷数、高性能开关主要应用于测试测量仪器或者通信领域，宽频范围可达9kHz-8GHz，并配有一个用于清除杂散的外部Vss引脚。这一系列产品具有低插入损耗、高隔离度、高线性度，以及及快速开关时间与稳定时间等特征，是滤波器组切换及信号发射/接收（T/R）路径切换等测试与测量应用程序的合适选择。

在发布会上，James Lee还表示，被收购以后，借助村田的资源，派更半导体这两年发展速度惊人，营收增长了90%，员工数量增加了约40%，专利申请数增加了70%。毫无疑问，并入村田给派更半导体带来了更多的发展机遇，除了快速增长，派更在技术路线上从UltraCMOS拓展到智能集成，这将结合村田与派更的优势，是非常有前景的一个方向。