中国无线通信2012十大事件

也不例外。Small Cell能够提供容量、部署灵活、建设成本低，被业界认为是运营商面对数据海啸的诺亚方舟。Small Cell不但短期内可以帮助运营商缓解流量压力，长远来看，Small Cell拥有更广阔的前景。在移动互联网大潮下，数据流量持续增长，而频谱资源却十分有限。这一矛盾使得运营商不得不想尽办法提高频谱效率，Small Cell成为运营商提供容量的不二选择。

6、中国移动发布Nanocell白皮书

Small Cell与WLAN结合成为网络新形态

·事件：2012年8月，在第六届移动互联网国际研讨会上，中国移动研究院发布了Nanocell技术白皮书，同时与合作伙伴京信、博通、敏讯、博威、诺西、上海贝尔、中兴签署技术研发合作备忘录，共同致力于该项新型低成本、高带宽移动接入方案的研发。 Nanocell是中国移动研究院联合产业界从未来移动宽带网络发展角度提出的一种新型的集成Small Cell及电信级WLAN的移动接入产品形态及其系统方案。中国移动将于2013年逐步展开Nanocell的试点工作。

·点评：Small Cell及WLAN已经成为业界广为关注的无线接入方向。融合WLAN的Small Cell，实现1+1>2的宽带高效率的接入效果是Nanocell应运而生的驱动力。Nanocell具有四大特点：一是拥有低成本的接入产品实现架构；二是具备协同的融合接入能力；三是使用灵活、低成本的回传网络；四是实现融合的核心网。作为一种新型的端到端的低成本、高带宽的系统化解决方案，Nanocell将成为面向未来移动通信的又一利器，为建设移动互联网时代的先进网络提供有力支撑。

7、中国联通56城市默认开通HSPA+

运营商3G用户体验竞争加剧

·事件：2012年7月，中国联通宣布，所有3G用户在已开通HSPA+网络的56个城市，只需购买一部支持HSPA+网络的终端，即可默认升级使用HSPA+网络。HSPA+是WCDMA制式在R7及R8阶段的新技术，网络下行峰值速率可达到21.6Mbps、上行峰值速率可达到5.76Mbps，是联通原有3G网络速率的三倍。优质的网络质量对提升用户体验至关重要。2012年，中国联通曾多次表示，将继续提升网络速率与网络覆盖，为3G终端应用服务提供更好的支撑。

·点评：中国联通为了提高用户体验，选择了默认开通HSPA+。中国电信也在2012年把EVDO网络的升级提上日程，中国移动在TD五期建设后，又于2012年启动了TD六期的招标，在这期建设后，中国移动的TD基站数目将达到40万个。距离LTE大规模商用至少还需要两年，运营商目前的主要经历仍然集中在3G网络上。目前，中国联通已经在试点HSPA+双载波，峰值速率将达到42Mbps。3G网络的建设还远远没有结束。

8、博通等推出5G WiFi芯片

WiFi进入802.11ac时代

·事件：进入2012年，各大芯片厂商纷纷推出5G WiFi产品，积极布局802.11ac市场。2012年1月，博通公司推出第一个802.11ac(5G WiFi)芯片系列，新的IEEE802.11ac芯片与对应的802.11n解决方案相比，速率提高3倍，电源效率提高达6倍。高通创锐讯802.11ac全系列解决方案(从网络连接到移动通讯及计算机产品)，则采用内嵌处理器和硬件加速设计，以降低主机CPU处理Wi-Fi的负担。Marvell公司也发布了业界首款802.11ac移动MIMOWi-Fi解决方案Avastar 88W8897。

·点评：802.11ac标准的制定主要是以5GHz频带提供高吞吐量，除了能带来快速、高质量的视频流，还能为笔记本电脑、平板电脑和手机提供几乎瞬间完成的数据同步作业和备份。面对视频、影像以及网络堵塞的挑战，802.11ac的技术就非常重要。ABIResearch公司预测，继2012年实现小规模的出货量，2013年出货量得到明显的增长，到2014年，IEEE 802.11ac将成为主导性的WiFi协议。

9、多厂商宣布推出28nmTD-LTE芯片

TD-LTE产业链加速成熟

·事件：2012年10月，高通、Marvell等多家厂商正式宣布将于2012年底至2013年初推出支持TD-LTE的28nm芯片。高通公司宣布其同时支持TD-LTE和TD-SCDMA的骁龙S4 Plus MSM8930将于2012年年底向客户出样，该单一平台处理器将采用28nm工艺，内置该处理器的商用终端预计将于2013年第一季度上市。无独有偶，Marvell全球副总裁李春潮也于近日表示，Marvell将于2013年推出基于28nm工艺的多核LTE芯片，届时其将支持TD-LTE。

·点评：经历了规模试验，TD-LTE的网络设备已经基本达到商用要求，产业链信心的提升，促使TD-LTE终端芯片进入快速发展期。目前，大部分TD-LTE芯片采用40nm工艺，业内专家表示，相比40nm芯片，28nm芯片至少可以降低能耗达40%以上。28nm甚至是比14nm更高的半导体制程节点，可使芯片设计面积和相关功耗得以降低。在28