微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 微波射频 > 微波射频行业新闻 > SiGe半导体提交首次公开募股Form S-1注册声明

SiGe半导体提交首次公开募股Form S-1注册声明

时间:07-03 来源: 点击:

在广泛的应用领域中实现无线连接能力的全球领先高集成度射频(RF)半导体前端解决方案供应商 SiGe半导体公司(SiGe Semiconductor) ,宣布已向美国证券交易委员会(Securities and Exchange Commission)提交普通股首次公开发行计划的Form S-1注册声明,至于这次发行的股份数量和价格范围则尚未确定。

Barclays Capital Inc.、Deutsche Bank Securities Inc.和Jefferies & Company, Inc.将担任这次发行的联合承销商(book-running manager)。Canaccord Genuity Inc.、Needham & Company, LLC和Raymond James & Associates, Inc.则担任副承销商(co-manager)。

初步募股说明书将于稍后发表,并可从以下渠道获取: Broadridge Financial Solutions 转 Barclays Capital Inc.,地址:1155 Long Island Avenue, Edgewood, NY 1171;电话:888-603-5847 或电邮:@morganstanley.com">barclaysprospectus@broadridge.com;Deutsche Bank Securities Inc.,地址:100 Plaza One, Jersey City, New Jersey 07311,联络:募股说明书部门 (Prospectus Department),电话:800-503-4611或电邮:prospectus.cpdg@db.com;Jefferies & Company, Inc.,地址:520 Madison Ave., 12th Floor, New York, NY 10022,联络:资产联合募股说明书部门(Equity Syndicate Prospectus Department),电话:877-547-6340,电邮:@Jefferies.com">Prospectus_Department@Jefferies.com。

关于这些公开发行股票的注册声明已经提交至美国证券交易委员会,但还未生效。在注册声明生效前,这些证券不得出售或出价认购。本新闻稿并不构成销售或诱使购买的邀约,亦不构成在美国任何州销售发行股票的邀约,根据美国各州的证券法,在注册或取得资格之前出价、诱使购买或销售将均属非法行为。

关于 SiGe半导体公司 (SiGe Semiconductor, Inc)

SiGe半导体公司(SiGe Semiconductor, Inc) 是在广泛的应用领域中实现无线连接能力的全球领先高集成度射频(radio frequency, RF)半导体前端解决方案供应商。公司的创新解决方案将多种RF功能集成进单个半导体器件中,实现性能、功率输出和效率以及小体积的最佳结合。SiGe 半导体广泛地使用基于硅材料的标准半导体技术,配合无晶圆运作的模式,实现功能性的高度集成、利用大规模生产技术提供成本效益、维持低成本以及快速上市的能力。SiGe 半导体至今已付运超过五亿个前端解决方案,主要为Wi-Fi™前端模块以及功率放大器。

关于SiGe半导体公司的无铅计划

在电子产品设计和制造过程中使用铅材料已成为全球日益关注的环保问题。为了响应业界广泛推动的环保倡议,SiGe半导体公司现今所有付运的产品均为无铅产品,并符合RoHS标准。

前瞻性声明

本新闻稿可能包含某些前瞻性声明。此处包含的所有声明 (除过往事实声明之外) 均为前瞻性声明,可能涉及各种风险和不明确因素。公司无法确保这类声明将肯定准确,而且实际结果和未来状况可能与声明的预测出现很大差异。前瞻性声明是以声明发布之时管理层的估计和看法为基础。如果状况或管理层的估计或意见发生变化,SiGe半导体公司无义务更新前瞻性声明。

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top