安森美半导体推出IPD2工艺技术，结合HighQ?性能和小尺寸， 用于便携电子应用

2010年5月27日 – 应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出新的集成无源元件(IPD)工艺技术--IPD2。这新工艺是公司增强既有的HighQ™硅铜(copper on silicon) IPD技术，第二层的铜层厚度仅为5微米(μm)，增强了电感性能，提高了灵活性，配合设计高精度、高性价比的集成无源元件，用于便携电子设备中的射频(RF)系统级封装应用。

HighQ™ IPD2工艺是安森美半导体定制代工部众多创新制造服务之一，采用先进的8英寸晶圆技术，典型设计包括平衡/不平衡转换器(balun)、低通滤波器、带通滤波器和双工器，用于最新便携和无线应用。基于IPD2的设计为电路设计人员提供重要优势，如降低成本、减小厚度、小占位面积，以及更高性能(等同于延长电池使用时间)。

安森美半导体为其IPD2工艺技术提供全功能设计工具和设计支援，以及快速的原型制造能力，帮助潜在用户快速和高性价比地评估，不管他们复杂度较低的分立或集成印制电路板(PCB)方案、较厚也较昂贵的陶瓷方案，还是基于更昂贵的砷化镓金(Gold on Gallium Arsenide)的IPD是否适合转换至IPD2工艺。

安森美半导体定制代工部高级总监Rick Whitcomb说："在高性价比、小尺寸和低插入损耗的平台上集成无源器件，能为电池供电便携电子产品设计人员提供极有用的方案。我们以全套设计工具和技术配合这新工艺，能够帮助客户以最短的时间和最大的信心，从效用相对较低的技术转换至我们的IPD2工艺。"

更多信息请访问http://www.onsemi.cn。

关于安森美半导体

安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)是应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件，帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、LED照明、医疗、工业、军事/航空及电源应用的独特设计挑战，既快速又符合高性价比。公司在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的世界一流、增值型供应链和网络。更多信息请访问http://www.onsemi.cn。