DRAM产业各厂缩衣节食，资本支出大幅缩减

2009年DRAM产业景气从谷底爬出，各家DRAM厂盛行缩衣节食，日前也传出海力士(Hynix)大砍2009年的资本支出近一半，全年支出仅约16亿美元，但分析师预估，将海力士的自有厂房与意法半导体在大陆合资的无锡厂一并计算，2009年的总资本支出也顶多10亿美元，较目前规划的金额减少6亿美元，充分反应对存储器市场看法的保守；此外，台系DRAM厂只有南亚科和华亚科下半年转进50纳米，2009年资本支出规划超过新台币100亿元，力晶资本支出不到50亿美元，茂德更无资本支出可言。

DRAM业者表示，以2009年初的存储器产业气氛和价格来看，公司的资本支出预算非常难规画，因为所有的新制程都停摆，除了三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)之外，大部分的DRAM厂都认清事实，无法在2009年导入50纳米制程，而新12寸厂的兴建计画，以及既有厂房的扩充计画也都喊停，当时只求活命而不想资本支出问题。

随著存储器产业景气好转，DRAM业者的资本支出规画逐渐上路，但金额一直删减，除了必须的花费之外，其它开销一律喊卡，存储器业者认为，下半年DRAM价格不会再破底，但要马上反弹上来，机率也不高，因此所有新制程和产能都暂缓，视价格走向而调整。

日前传出海力士大砍资本支出近一半，2009年资本支出约16亿美元；然日前有分析师针对海力士自有厂房加计与意法合资成立的无锡厂估计，认为最后总资本支出不会超过10亿美元，对照2008海力士2008年加计无锡厂，资本支出接近20亿美元，2007年资本支出接近40亿美元，反应存储器产业景气逐年艰钜的情况。

以美光(Micron)和尔必达(Elpida)而言，2009年资本支出也是大幅缩减，美光加计与英特尔合资的IM Flash厂房，2009年资本支出约6亿~8亿美元，而尔必达2009年的资本支出也约4亿~5亿美元水平，更是所有国际级的存储器大厂中，最节省的一员。

在台系DRAM业者方面，最大手笔继续投资的成员，当属台塑集团旗下的南亚科技和华亚科，估计2009年分别的资本支出都各100亿元以上，主要是用于2009年将现有的12寸厂产能从70纳米沟槽式制程转换至50纳米堆叠式制程，因此花费相当惊人，日前台塑集团也以实际行动金援南亚科和华亚科，继续扩张DRAM版图。

在力晶方面，2009年规划的资本支出不到50亿元，市场预估实际花费的金额，会远低于此数字。力晶今年并无新产能开出，2008年底的制程技术也大多转进至65纳米技术，因此需要投资的部分不多，惟力晶近期获得金士顿和力成的金援，计画将回头增产DRAM，将之前减产的部分，逐步补回来，但此部分的花费有限。