汽车电子系统元器件解决方案

向盘。该线控网络方式支持同步和异步数据传输，数据传输率约为10Mb/s，具有时间触发和事件触发行为、冗位和容错的特点。

该结构支持一“束”2个节点至64个节点，其功能主要依靠于两种类型的处理器—ECU和“活动星”。 FlexRay通讯通过一个常用总线或一个星形连接在ECU之间进行。FlexRay元件的总线输入必须避免在总线路和系统供电电压或地电位之间出现短路现象。

下图方案利用一个PolySwitch设备进行过电流保护。

车载照明电路保护方案

车载照明系统要求高达55A的峰值浪涌电流。控制车载照明的理想解决方案之一，就是将一个高压侧前置FET驱动器和功率FET组合。

一个前置 FET 驱动器被用来控制系统中的四种不同负载。这种组合能够通过温度系数较好地控制阻性负载。通常，负载被连接在低压侧，而功率 FET 则在高压侧完成配置，以为负载供电。每一条通道都可以由一个来自微控制器的并行输入信号或串行编程寄存器来控制。在一个并行结构中，一个通用 I/O 或基于定时器的输出被用来控制负载电流。

栅极驱动输出通常为一个恒定电流源，并且吸入输出端来控制 FET 栅极电容充电和放电特性。与输出串联的一个外部电阻器限制了 FET 开关转换的升降次数。这种效应使转换率得到了控制，同时还可有助于减少会增加电磁干扰（增加开关损耗和功耗）的开关极限期间出现的快速电流变化。这些输出在内部被控制在 17V 的最大输出电压以下，以保护外部 FET 栅极免于源击穿损坏。与一款集成的解决方案相比较，可以对前置 FET 驱动器和功率 FET 的组合进行配置，以防止应用中的动态和静态故障。

车载照明电路故障检测和控制方案

在所有的系统中故障检测都是至关重要的。能够独立地对 “开启”状态下有短路负载和过电流现象以及“关闭”状态下有开路负载的每一条通道进行故障检测，将使系统能够做出正确的反应。这种检测同时还可以将出现故障的通道隔离开，以避免影响其它正常通道，特别是在涉及热相互作用问题的时候。

当检测到一个过电流状态时，通过“关闭”器件或激活将以低占空比自动重试和 “开启”FET 的选项设置，就可以对 FET 进行保护。这样就允许系统不断地检查故障是否已经被排除，并且不会破坏 FET。

在“关闭”状态下监控开路负载故障为系统提供了负载完整性信息。当开关完全处于“关闭”状态下时，通过监控外部功率 FET 的电源电压，就可以实现对每一条通道开路负载故障的检测。

同样地，为了防止开关转换期间出现错误的故障报告，一种抗尖峰脉冲滤波器在电源转换期间被激活，以屏蔽故障。可以对该抗尖峰脉冲屏蔽时间进行编程来对所有转换率控制实施进行补偿。如果该开路负载发生在开关转换以后，那么在系统做出正确的动作以前故障的确定有效时间比故障掩模时间要长。正确的动作就是使该场效应晶体管保持在“关闭”状态下。

将一个高压侧前置FET驱动器和功率FET组合被广泛地用于负载控制，例如：车载电子的白炽灯泡、继电器螺线管和传输螺线管等，还可能被应用于那些要求通过串行总线通信或者并行输入控制来实现负载控制的工业和商业应用中。将每一个功率 FET 与热相互作用隔离的这种能力，在那些单通道短路或者热关闭故障不会中断其它负载控制通道功能的情况下是非常有好处的。

混合动力车（HEV）中的半导体器件解决方案

高电压带来的挑战是混合动力车必须解决的问题。几年前，汽车中的功率器件大多数都是55V到60V的MOSFET，主要用于汽车的动力传动系统。现在的汽车，包括混合动力汽车，则采用20V到600V的功率器件。对于动力转向及制动这类应用，开发工程师正在寻找具有低导通阻抗的高性能低压沟道型MOSFET，以降低汽车的功耗。

轻度、全面及插电式HEV更是需要600V到1，200V之间的高电压电子系统，这使设计更具挑战性。除了需要高达600V到1，200V的高电压能力外，也需要驱动逆变器和DC/DC转换器中前所未见的电流密度的开关。功率IC要面对这样的高功率、高电压以及高能源，就要以坚固耐用、可靠性和安全作为主要的条件。IR 的Hauenstein博士曾表示，电机驱动IC的保护功能非常重要，在HEV牵引电机出现严重故障和短路时，免除了微型控制器的互动需要。因为这个问题在HEV逆变器中，开关高电流、高电压IGBT时十分常见。”

IR的HEV方案系列也包括了具备非常低EMI和优化了的开关性能的驱动器及开关。例如最新的DirectFET MOSFET产品便完全不用键合线，并且因为消除了大部分的寄生电感，以及具备最小的封装电阻，所以能够提供最佳的开关性能。除了领先行业的低导通电阻、卓越的开关性能和增强了的温度能效