UPD78F9211/9212/9210 自写方式编程
(3) Flash 钐寄存器(PFS)
如果不能按正确序(入FLASH 保o命令寄存器PFCMD)入受保o的FLASH 程模式控制寄存器(FLPMC)中,FLPMC不能被入并且出F保oe`,PFS 的第0 位(FPRERR)将被置1。
FPRERR 1 r,可以通^直接0 砬0。
自程模式期g可能b生的e`能蛲ㄟ^PFS 的第1位(VCERR)和第2 位(WEPRERR)位反出恚(VCERR)和(WEPRERR)可以通^0 砬0。
要C操作是否绦姓确,PFS 寄存器的必被A先清零。
PFS 可以使用1 位或8 位存ζ鞑僮髦噶钤O定。
}位後PFS被置00H。
注意事 使用1 位存ζ鞑僮髦噶铗CFPRERR。
1. FPRERR 标的操作l件
O置l件>
绦械χ苓寄存器的入命令]有oPFCMD入特定值(PFCMD = A5H)r,PFCMDM行入操作。
在1>之後,如果第一l存χ噶畈僮鞯氖峭獠看ζ鞫不是FLPMC。
在2>之後,如果第一l存χ噶畈僮鞯氖峭獠看ζ鞫不是FLPMC。
在2>之後,如果第一l存χ噶钏的值不同于FLPMC 值的反a。
在3>之後,如果第一l存χ噶畈僮鞯氖峭獠看ζ鞫不是FLPMC。
在3>之後,如果第一l存χ噶钏的值不同于FLPMC 值(在2> 中所)。
渥 在菱形括号内的底于(2) Flash 保o命令字(PFCMD)。
}位l件>
如果FPRERR 标志0
}位信号入
2. VCERR标志的操作l件
O定l件>
擦除校e`
内部入校e`
若VCERR 被O1,tf明Flash ]有被正确的擦除/入。在指定的程序Y要再次Flash M行擦除/入。
渥 l生擦除/入保oe`r,VCERR标也被置1。
}位l件>
VCERR标被置0
外部}位信号入
3. WEPRERR 标操作l件
O置l件>
使用保o字指定一^域防止^域因FLASH 地址指H(FLAPH)和绦邢嚓P命令而引起的擦除/入。
如果“1”被入到一]有被擦除的位(一“0”的位)。
}位l件>
WEPRERR 标被置0
外部}位信号入
(4)FLASH 程命令寄存器(FLCMD)
在自程模式下,FLCMD 被用砣范FLASH 的擦、、校操作。
寄存器可通^1 位或8 位的操作指令碓O置。
}位後寄存器值置00H。
注 如果绦胁煌于以上的命令r,命令被立即K止,并且Flash 钐寄存器(PFS)的第1 或2 位(WEPRERR 或VCERR)被置1。
(5)Flash 地址指H 和L(FLAPH 和FLAPL)
Flash 地址指H 和L(FLAPH 和FLAPL)用于在自程模式下指定FLASH 的擦除、入、C的_始地址。
FLAPH 和FLAPL 由灯鹘M成,程命令不绦r,它f增直到cFLAPHC 和FLAPLC 的值相等。因此,程序命令绦r,PLAPHC 和FLAPLC 的值需要重新O置。
Flash 地址指H 和L(FLAPH 和FLAPL)可通^1 位或8 位操作指令碓O置。
}位後寄存器值不确定。
(6) Flash 地址指H 比^寄存器和FLASH 地址指L 比^寄存器(FLAPHC和FLAPLC)在自程模式下校FLASH 存ζr,FLASH 地址指比^寄存器H 和L(FLAPHC 和FLAPLC)用于指定内部序列操作的地址。
将FLAPH 的值xoFLAPHC。将FLASH 存ζ餍r的最末端地址xoFLAPLC。
FLAPHC 和FLAPLC 使用1 位或8 位存ζ鞑僮髦噶碓O定。
}位後FLW寄存器值置00H。
注意事 1. 在自程命令绦幸郧埃确保FLASH 地址指H(FLAPH)的第4 ~ 7 位和FLASH 地址指H 比^寄存器(FLAPHC)清零。如果绦凶跃程命令r@些
位的值1。
2. M行block 擦除、校、空白zyr,将block 的序号(cFLAPH 的值相同)x值oFLAPHC。
3. block 擦除完成rFLAPLC 要清零,block 空白zy完成後FLAPLC要OFFH。
(7)Flash _寄存器(FLW)
在入FLASH 之前,先存υFLW 存内。
寄存器值可用1 位或8 位存Σ僮髦噶钤O置。
}位後FLW寄存器值置00H。
(8)保o字
保o字用于指定禁止入或擦除^域。指定的保o^域b在自程模式下有效。因受保o^域在自程模式下是不可用的,所以保o^域内的是受保o的。
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