UPD78F9211/9212/9210 自写方式编程

（3） Flash 钐寄存器（PFS）
如果不能按正确序（入FLASH 保o命令寄存器PFCMD）入受保o的FLASH 程模式控制寄存器（FLPMC）中，FLPMC不能被入并且出F保oe`，PFS 的第0 位（FPRERR）将被置1。
FPRERR 1 r，可以通^直接0 砬0。
自程模式期g可能b生的e`能蛲ㄟ^PFS 的第1位（VCERR）和第2 位（WEPRERR）位反出恚（VCERR）和（WEPRERR）可以通^0 砬0。
要C操作是否绦姓确，PFS 寄存器的必被A先清零。
PFS 可以使用1 位或8 位存ζ鞑僮髦噶钤O定。
}位後PFS被置00H。
注意事 使用1 位存ζ鞑僮髦噶铗CFPRERR。

1. FPRERR 标的操作l件
O置l件>
绦械χ苓寄存器的入命令]有oPFCMD入特定值（PFCMD = A5H）r，PFCMDM行入操作。
在1>之後，如果第一l存χ噶畈僮鞯氖峭獠看ζ鞫不是FLPMC。
在2>之後，如果第一l存χ噶畈僮鞯氖峭獠看ζ鞫不是FLPMC。
在2>之後，如果第一l存χ噶钏的值不同于FLPMC 值的反a。
在3>之後，如果第一l存χ噶畈僮鞯氖峭獠看ζ鞫不是FLPMC。
在3>之後，如果第一l存χ噶钏的值不同于FLPMC 值（在2> 中所）。
渥 在菱形括号内的底于（2） Flash 保o命令字（PFCMD）。
}位l件>
如果FPRERR 标志0
}位信号入
2. VCERR标志的操作l件
O定l件>
擦除校e`
内部入校e`
若VCERR 被O1，tf明Flash ]有被正确的擦除/入。在指定的程序Y要再次Flash M行擦除/入。
渥 l生擦除/入保oe`r，VCERR标也被置1。
}位l件>
VCERR标被置0
外部}位信号入
3. WEPRERR 标操作l件
O置l件>
使用保o字指定一^域防止^域因FLASH 地址指H（FLAPH）和绦邢嚓P命令而引起的擦除/入。
如果“1”被入到一]有被擦除的位（一“0”的位）。
}位l件>
WEPRERR 标被置0
外部}位信号入
（4）FLASH 程命令寄存器（FLCMD）
在自程模式下，FLCMD 被用砣范FLASH 的擦、、校操作。
寄存器可通^1 位或8 位的操作指令碓O置。
}位後寄存器值置00H。

注 如果绦胁煌于以上的命令r，命令被立即K止，并且Flash 钐寄存器（PFS）的第1 或2 位（WEPRERR 或VCERR）被置1。

（5）Flash 地址指H 和L（FLAPH 和FLAPL）
Flash 地址指H 和L（FLAPH 和FLAPL）用于在自程模式下指定FLASH 的擦除、入、C的_始地址。
FLAPH 和FLAPL 由灯鹘M成，程命令不绦r，它f增直到cFLAPHC 和FLAPLC 的值相等。因此，程序命令绦r，PLAPHC 和FLAPLC 的值需要重新O置。
Flash 地址指H 和L（FLAPH 和FLAPL）可通^1 位或8 位操作指令碓O置。
}位後寄存器值不确定。

（6） Flash 地址指H 比^寄存器和FLASH 地址指L 比^寄存器（FLAPHC和FLAPLC）在自程模式下校FLASH 存ζr，FLASH 地址指比^寄存器H 和L（FLAPHC 和FLAPLC）用于指定内部序列操作的地址。
将FLAPH 的值xoFLAPHC。将FLASH 存ζ餍ｒ的最末端地址xoFLAPLC。
FLAPHC 和FLAPLC 使用1 位或8 位存ζ鞑僮髦噶碓O定。
}位後FLW寄存器值置00H。

注意事 1. 在自程命令绦幸郧埃确保FLASH 地址指H（FLAPH）的第4 ～ 7 位和FLASH 地址指H 比^寄存器（FLAPHC）清零。如果绦凶跃程命令r@些
位的值1。
2. M行block 擦除、校、空白zyr，将block 的序号（cFLAPH 的值相同）x值oFLAPHC。
3. block 擦除完成rFLAPLC 要清零，block 空白zy完成後FLAPLC要OFFH。

（7）Flash _寄存器（FLW）
在入FLASH 之前，先存υFLW 存内。
寄存器值可用1 位或8 位存Σ僮髦噶钤O置。
}位後FLW寄存器值置00H。

（8）保o字
保o字用于指定禁止入或擦除^域。指定的保o^域b在自程模式下有效。因受保o^域在自程模式下是不可用的，所以保o^域内的是受保o的。