IDT公司发布超高隔离度和线性度的射频开关

美国加利福尼亚州圣何塞，2014年11月10日-- IDT公司（IDT）（纳斯达克股票代码：IDTI）今天宣布推出F2912开关，它是IDT公司计划中新的射频（RF）开关系列的首款产品。F2912具有行业领先的低插入损耗、高隔离度和高线性度，使其成为基站（2G，3G和4G）、微波设备的backhaul和front haul、测试设备、有线电视（CATV）前端、WiMAX射频、无线系统和一般开关应用的理想选择。

EJL Wireless Research总裁Earl Lum表示："我们预计，到2018年LTE技术将会占所有射频基站系统出货量的90%，LTE技术的不断发展要求高线性度、高性能的芯片， IDT公司凭借其独特的产品和RF功能处于强势突出地位。"

F2912射频开关凭借下述功能支持多种应用的最新系统要求：

频率范围300 KHz到8GHz，实现更高带宽的同时不影响整个频率范围内的性能。 0.4 dB的低插入损耗（IL），具有低的路径损耗但不影响隔离性能。 在2 GHz下60 dB的高隔离度，可以减少相邻RF端口路径之间的信号泄漏。 OIP3值高达+64 dBm，可减少互调（intermodulation）失真。 P1dB值为30 dBm，提供1W压缩点，确保各种应用的耐用操作。 3.3 V和1.8 V控制逻辑电平，与通用的FPGA和微控制器逻辑电平一致。 工作温度范围为-55到125℃，在恶劣的热环境下具有高可靠性。

IDT公司无线产品定义和市场高级总监Chris Stephens介绍说："F2912代表IDT公司正式进入RF开关市场，它可与我们业界领先的其他射频产品无缝集成，为工程师提供了一个可靠而高效的产品开发途径。F2912具有一整套高性能指标，使其非常适合于多种无线及其他射频应用。"