AVR 内部EEPROM读写式例

注意：
1:在CPU 写Flash 存储器的时候不能对EEPROM 进行编程。
在启动EEPROM 写操作之前软件必须检查 Flash 写操作是否已经完成
步骤(2) 仅在软件包含引导程序并允许CPU对Flash 进行编程时才有用。
如果CPU 永远都不会写Flash，步骤(2) 可省略。

2:如果在步骤5 和6 之间发生了中断，写操作将失败。
因为此时EEPROM 写使能操作将超时。
如果一个操作EEPROM的中断打断了另一个EEPROM操作，EEAR 或EEDR寄存器可能被修改，引起EEPROM 操作失败。
建议此时关闭全局中断标志I。
经过写访问时间之后，EEWE 硬件清零。用户可以凭借这一位判断写时序是否已经完成。
EEWE 置位后，CPU要停止两个时钟周期才会运行下一条指令。

在掉电休眠模式下的EEPROM写操作
若程序执行掉电指令时EEPROM 的写操作正在进行， EEPROM 的写操作将继续，并在指定的写访问时间之前完成。
但写操作结束后，振荡器还将继续运行，单片机并非处于完全的掉电模式。因此在执行掉电指令之前应结束EEPROM 的写操作。

防止EEPROM数据丢失
若电源电压过低，CPU和EEPROM有可能工作不正常，造成EEPROM数据的毁坏(丢失)。
**这种情况在使用独立的EEPROM 器件时也会遇到。因而需要使用相同的保护方案。
由于电压过低造成EEPROM 数据损坏有两种可能：
一是电压低于EEPROM 写操作所需要的最低电压；
二是CPU本身已经无法正常工作。
EEPROM 数据损坏的问题可以通过以下方法解决：
当电压过低时保持AVR RESET信号为低。
这可以通过使能芯片的掉电检测电路BOD来实现。如果BOD电平无法满足要求则可以使用外部复位电路。
若写操作过程当中发生了复位，只要电压足够高，写操作仍将正常结束。
(EEPROM在2V低压下也能进行写操作---有可以工作到1.8V的AVR芯片)

掉电检测BOD的误解
AVR自带的BOD(Brown-out Detection)电路，作用是在电压过低(低于设定值)时产生复位信号，防止CPU意外动作.
对EEPROM的保护作用是当电压过低时保持RESET信号为低，防止CPU意外动作，错误修改了EEPROM的内容

而我们所理解的掉电检测功能是指 具有预测功能的可以进行软件处理的功能。
例如，用户想在电源掉电时把SRAM数据转存到EEPROM，可行的方法是
外接一个在4.5V翻转的电压比较器(VCC=5.0V,BOD=2.7V)，输出接到外部中断引脚(或其他中断)
一但电压低于4.5V,马上触发中断，在中断服务程序中把数据写到EEPROM中保护起来
注意: 写一个字节的EEPROM时间长达8mS,所以不能写入太多数据，电源滤波电容也要选大一些