FRAM使安全气囊系统更加智能化

铁电薄膜位于CMOS基极层上，夹在两层电极间。金属互连和钝化使工艺更完善(见图4)。

因此，FRAM存储器不需要周期性刷新，当电源出故障时，仍能保持数据。FRAM存储器速度很快，事实上它也不会用坏。这些特性使它适合以足够的间隔写数据，确保能保存下正确的状态。例如，16K位(2K字节)的器件能在相当低的电源下在3.3ms内写入。另外，对工作寿命为25,000小时的器件，每秒能更新10,000次(每100μs写1次)。

Hyundai Autonet最近决定在其下一代智能安全气囊系统中采用非易失性铁电随机存取存储器(FRAM)器件，这一举措表明，对在安全性很关键的应用中采用FRAM工艺优点，领先的汽车系统供应商的认可度日益增长。在这一方面，Hyundai Autonet也加入到美国、亚洲、日本和欧洲已经选择了FRAM工艺的其他8家汽车制造商中，提供“智能”型安全气囊系统和相关碰撞事故数据记录仪。(end)