恩智浦氮化镓技术引领GaN技术潮流

高性能射频产品的世界领先者恩智浦针对高效率射频功率应用分别推出LDMOS和GaN两种解决方案

中国上海，2011年6月6日讯--在本周举行的2011年国际微波会议（IMS2011）上，恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.（Nasdaq: NXP）现场展示了其下一代采用氮化镓技术（GaN）的产品。此次GaN演示包括：50W宽带放大器 CLF1G0530-50（500-3000MHz）、2.1GHz和2.7GHz Doherty基站功率放大器以及100W放大器CLF1G2435-100（2.5-3.5GHz）。恩智浦与联合单片半导体公司和弗劳恩霍夫应用固体物理研究所合作开发了高频率、高功率GaN工艺技术。恩智浦目前是业界能同时提供LDMOS和GaN解决方案的最大半导体厂商。恩智浦首款GaN功率放大器的工程样片现已面市。

技术要点
恩智浦的GaN器件采用碳化硅基板，提供更佳的射频和热性能。
恩智浦GaN产品面向最终客户的目标应用包括：移动通信、宽带放大器、ISM、PMR、雷达、航空电子、射频光源、医疗、CATV、以及移动和广播用数字发射机。
GaN技术具有高功率密度，将可用于高功率广播领域，该领域目前仍普遍采用固态真空管功率放大器。
当今几乎所有的基站功率放大器都局限于几种特定应用，在这种背景下，恩智浦最新的GaN工艺技术则为人们展现了一个可应用于多系统和多频率的"通用发射机"蓝图。这将极大地简化发射机生产和物流环节，让运营商切换频段以即时满足基站的覆盖区域要求。
恩智浦GaN宽带功率放大器计划于2011年底投入量产。

积极评论
ABI Research公司董事Lance Wilson表示："随着GaN越来越受青眯，恩智浦等各大主流半导体公司进军这一领域将有助于验证GaN在射频功率半导体方面的技术可行性，并加速其普及推广。"
恩智浦半导体高级副总裁兼高性能RF总经理John Croteau表示："今年初，我们在欧洲CS会议上展示GaN开发蓝图后，收到了大量来自客户、合作伙伴和其他半导体公司的积极响应，这主要归功于我们为方程式带来的规模经济效应。在发布GaN新产品的同时，我们将与合作伙伴一起，共同建立欧洲供应链，对价值链每个环节的成本进行优化，并持续为客户提供高效率应用的最优替代选择--LDMOS或GaN。"

关于恩智浦HPRF
恩智浦是高性能射频领域当之无愧的领军企业，每年射频器件出货量超过40亿件。从卫星接收器、蜂窝基站、广播发射机到工业、科学和医疗（ISM）、航空与国防应用，恩智浦是高性能混合信号IC 产品的领头羊，更是SERDES串口高速转换器产品公认的领先企业。恩智浦提供高速数据转换器产品的多种选择，包括JESD204A标准CGV、CMOS LVCOMS和LVDS DDR接口。这些高速转换器适用于无线基础设施、工业、科学、医疗、航空与国防应用。

关于恩智浦半导体
恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. (Nasdaq: NXPI) 以其领先的射频、模拟、电源管理、接口、安全和数字处理方面的专长，提供高性能混合信号（High Performance Mixed Signal）和标准产品解决方案。这些创新的产品和解决方案可广泛应用于汽车、智能识别、无线基础设施、照明、工业、移动、消费和计算等领域