首款3G CMOS功率放大器

专长于无线应用领域先进功率放大器技术的无晶圆厂半导体公司Black Sand科技有限公司日前宣布：公司已推出两条新的3G CMOS射频功率放大器(PA)产品线，它们显著地提升各种手机、平板电脑和数据卡的可靠性和数据传输量。该产品系列包括6个特别的、覆盖多个频段的功率放大器。

其BST34系列功率放大器被设计为现有3G GaAs射频功率放大器的立即替代产品，而且实现了完全的功能及管脚兼容。由GaAs转换到CMOS，可确保移动设备制造商们能够从改善的供应链、更高的可靠性和更低的成本中获益。

凭借其带有的TrueDelivered™高性能功率检测器，BST35系列将总辐射功率(TRP)性能实现了高达2dB的提升，还在实际工作环境中降低了掉线率，并提升了数据传输速率。BST3501是业界首款向射频前端提供这一功能的芯片。该器件的性能指标达到或超过了GaAs功率放大器芯片的输出功率、线性度、效率和噪音指标。

每个系列的首款产品在今年2月就能供货。这次产品发布之前，Black Sand发布展示了全球首款3G CMOS 功率放大器。

Black Sand公司首席执行官John Diehl说："我们的技术赢得了我们初始客户和移动运营商们异常积极的响应。尤其是BST35系列产品帮助智能手机和数据卡厂家达到了他们的行业设计目标，并在实际环境中获得了良好的TPR性能，从而确保了更少的掉线率和更快的数据传输速度，而且没有额外的eBOM组件和成本。"

"鉴于GaAs功率放大器技术长期存在的供应短缺和成本构成更高的问题，移动设备制造商们正在寻求一种能替代GaAs功率放大器技术的产品。 BST34 和BST35产品系列使我们的客户能够快速获得满足其超大批量生产所需要的功率放大器技术。" Black Sand公司的营销副总裁Jim Nohrden说。

"我们有一个比现今存在的所有GaAs功率放大器供应商联合起来还要大的战略供应基础；而随着市场继续采用3G移动设备，这已证明将是至关重要的，因为3G移动设备上的功率放大器数量是2G手机的两到三倍。在2011年里，我们的产品将会为我们的客户提供更好的性能和一个更加可靠的供应源。"

技术规范

BST34 和 BST35系列采用3x3mm大小、10管脚方式封装。BST34系列包含一个带有菊链支持的内置方向性耦合器，同时还集成有过压和过温保护电路。 BST35产品系列采用Black Sand的TrueDeliveredTM功率探测技术，并具备100：1的强大驻波比(VSWR)，是GaAs功率放大器的10倍。

BST34产品线包括：用于"2100" 频段-1 (1920-1980 MHz)的BST3401，用于PCS 频段-2 (1850-1910 MHz)的BST3402，以及用于AWS 频段-4 (1710-1755 MHz)、 日本频段-9 (1749.9 - 1784.9 MHz) 和拉美频段-10 (1710-1770 MHz)的BST3404。

BST35产品线包括：用于"2100" 频段-1 (1920-1980 MHz)的BST3501，用于PCS频段-2 (1850-1910 MHz)的BST3502，以及用于AWS 频段-4 (1710-1755 MHz)、 日本频段-9 (1749.9 - 1784.9 MHz) 和拉美频段-10 (1710-1770 MHz)的BST3504。这3款产品都采用3x3mm大小、10引脚封装。

在二月中即可提供BST3401 和BST3501的芯片和评估板。2011年第二季度可供应BST3402、 BST3502,、BST3404 和BST3504样片。