S3C2440 SDRAM内存驱动

休眠模式低功耗状态下的数据保存，这方面最著名的应用就是STR（Suspend to RAM，休眠挂起于内存）。在发出AR命令时，将CKE置于无效状态，就进入了SR模式，此时不再依靠系统时钟工作，而是根据内部的时钟进行刷新操作。在SR期间除了CKE之外的所有外部信号都是无效的（无需外部提供刷新指令），只有重新使CKE有效才能退出自刷新模式并进入正常操作状态。
SDRAM相关寄存器：
（1）BWSCON寄存器（BUS WIDTH & WAIT CONTROL REGISTER）
表2-17 SDRAM控制寄存器（BWSCON）


根据开发板的存储器配置和芯片型号，设置每个BANK焊接芯片的位宽和等待状态
BWSCON，每4位对应一个BANK，这4位分别表示：
lSTx：启动/禁止SDRAM的数据掩码引脚（UB/LB），SDRAM没有高低位掩码引脚，此位为0，SRAM连接有UB/LB管脚，设置为1
l注：UB/LB数据掩码引脚用来控制芯片读取/写入的高字节和低字节（对比硬件手册SDRAM和SRAM的接线图）
lWSx：是否使用存储器的WAIT信号，通常设为0
lDWx：设置焊接存储器芯片的位宽，笔者开发板使用两片容量为32M，位宽为16的SDRAM组成64M，32位存储器，因此DW7，DW6位设置为0b10，其它BANK不用设置采用默认值即可。
lBANK0对应的是系统引导BANK，这4位比较特殊，它的设置是由硬件跳线决定的，因此不用设置
lBWSCON设置结果：0x22000000
（2）BANKCON0~BANKCON5 (BANK CONTROL REGISTER)
表2-18 BANKCON0~BANKCON5控制寄存器（BANKCON0~BANKCON5）


这6个寄存器用来设置对应BANK0~BANK5的访问时序，采用默认值0x700即可
（3）BANKCON6~BANKCON7 (BANK CONTROL REGISTER)
表2-19 BANKCON6~BANKCON7控制寄存器（BANKCON6~BANKCON7）


由于内存都焊接在这两个BANK上，因此内存驱动主要是对这两个寄存器进行设置
lMT：设置BANK6~BANK7的存储器类型，
00=ROM or SRAM 01=保留
10=保留11=SDRAM
内存为SDRAM，设置为0b11，对应的应该设置Trcd和SCAN位，其它位和SDRAM无关
lTrcd：RAS to CAS Delay行地址选通到列地址选通延迟，这个参数请看后面的内存工作原理扩展部分解释，笔者内存芯片为HY57V561620，由其芯片手册可知其Trcd为最少20ns，如果内存工作在100MHz，则该值至少要为2个时钟周期，通常设置为3个时钟周期，因此设置为0b01
lSCAN：SDRAM Column Address Number SDRAM的列地址数，笔者内存芯片为HY57V561620，列地址数为9，设置为0b01
lBANK6，BANK7设置结果为：0x18005
（4）REFRESH (REFRESH CONTROL REGISTER)
表2-20刷新频率设置寄存器（REFRESH）


SDRAM的刷新有效，刷新频率设置寄存器（刷新）
lREFEN：开启/关闭刷新功能，设置为1，开启刷新
lTREFMD：SDRAM刷新模式，0=CBR/AutoRefresh,1=Self Refresh，设置为0，自动刷新
lTrp：行地址选通预充电时间，一般设置为0b00即可
lTsrc：单行刷新时间，设置为0b11即可。
lRefresh Counter：内存存储单元刷新数，它通过下面公式计算出：
Refresh Counter = 2^11 + 1 – SDRAM时钟频率（MHz）* SDRAM刷新周期（uS）
SDRAM的刷新周期，也就是内存存储单元间隔需要多久进行一次刷新，前面内存工作原理分析可知电容数据保存上限为64ms，笔者使用内存芯片每个L-Bank共有8192行，因此每次刷新最大间隔为：64ms/8192 = 7.8125uS，如果内存工作在外部晶振频率12MHz下，Refresh Counter = 1955，如果内存工作在100MHz下，那么Refresh Counter = 1269（取大整数）
lREFRESH寄存器设置为：
0x8e0000 + 1269 = 0x008e04f5（HCLK = 100MHz）
0x8e0000 + 1955 = 0x008e07a3（HCLK = 12MHz）
（5）BANKSIZE寄存器（BANKSIZE REGISTER）
表2-21 BANKSIZE寄存器（BANKSIZE）


设置内存的突发传输模式，省电模式和内存容量。
lBURST_EN：是否开启突发模式，0 = ARM内核禁止突发传输1 =开启突发传输，设置为1，开启突发传输
lSCKE_EN：是否使用SCKE信号作为省电模式控制信号，0 =不使用SCKE信号作为省电模式控制信号1 =使用SCKE信号作为省电模式控制信号，通常设置为1
lSCLK_EN： 设置向存储器输入工作频率，0 =一直输入SCLK频率，即使没有内存操作也会输入，1 =仅当进行内存数据操作时才输入SCLK频率，通常设置为1
lBK76MAP：设置Bank6/7的内存容量，笔者使用开发板内存为两片32M内存芯片并联成64M，它们全部都外接到Bank6上，因此选择0b001
lBANKSIZE寄存器设置为：0xb1
（6）SDRAM模式设置寄存器MRSRx (SDRAM MODE REGISTER SET REGISTER)
表2-22 SDRAM模式设置寄存器（MRSRx）



该寄存器用于设置CAS潜伏周期，可以手动设置的位只有CL[6:4]位，通过前面内存工作原理可知，笔者使用开发板CL=3，即0b011
lMRSR6，MRSR7设置为：0x00000030

1.1.8内存驱动实验

设置该工程加载时运行时地址为0x30000000，如图2-55所示：

图2-55设置加载时运行时地址
init.s：本程序文件主要实现了，关闭看门狗，初始化内存，拷贝ROM数据到内存中，然后跳往内存中执行xmain函数，从xmain函数返回之后，将全部