三、FLASH寄存器说明// 来自 ：ST_M_8.C_N
允许编程、擦除等操作首先要对3个控制寄存器（FCTL1、FCTL2、FCTL3）的各位进行定义。它们使用安全键值（口令码）来防止错误的编程和擦除周期，口令出错将产生非屏蔽中断请求。安全键值位于每个控制字的高字节，读时为96H，写时为5AH。
1．FCTL1 控制寄存器1（用于控制所有写/编程或者删除操作的有效位），各位定义如下：
bit15～8 bit7 bit6 bit5 bit4 bit3 bit2 bit1 bit0
安全键值,读为96H,写5AH BLKWRT WRT -- -- -- MERAS ERASE --
BLKWRT——段编程位。如果有较多的连续数据要编程到某一段或某几段，则可选择这种方式，这样可缩短编程时间。在一段程序完毕，再编程其它段，需对该位先复位再置位，在下一条写指令执行前WAIT位应为1。
0：未选用段编程方式
1：选用段编程方式
WRT——编程位
0：不编程，如对FLASH写操作，发生非法访问，使ACCVIFG位置位；
1：编程
MERAS——主存控制擦除位
0：不擦除
1：主存全擦除，对主存空写时启动擦除操作，完成后MERAS自动复位
ERASE——擦除一段控制位
0：不擦除
1：擦除一段。由空写指令带入段号来指定擦除哪一段，操作完成后自动复位
2．FCTL2 控制寄存器2（对进入时序发生器的时钟进行定义），各位定义如下：
bit15～8 bit7 bit6 bit5 bit4 bit3 bit2 bit1 bit0
安全键值,读为96H,写5AH SSEL1 SSEL0 FN5 FN4 FN3 FN2 FN1 FN0
SSEL1、SSEL0——选择时钟源
0：ACLK
1：MCLK
2：SMCLK
3：SMCLK
FN5～FN0——分频系数选择位
0：直通
1：2分频
2：3分频
...... read datasheet
63：64分频
3．FCTL3 控制寄存器3（用于控制FLASH存储器操作，保存相应的状态标志和错误条件），各位定义如下：
bit15～8 bit7 bit6 bit5 bit4 bit3 bit2 bit1 bit0
安全键值,读为96H,写5AH -- -- EMEX Lock WAIT ACCVIFG KEYV BUSY
EMEX——紧急退出位。对FLASH的操作失败时使用该位作紧急处理
0：无作用
1：立即停止对FLASH的操作
Lock——锁定位，给已经编程好的FLASH存储器加锁
0：不加锁，FLASH存储器可读、可写、可擦除
1：加锁，加锁的FLASH存储器可读、不可写、不可擦除
WAIT——等待指示信号，该位只读。// 来自 ：ST_M_8.C_N
0：段编程操作已经开始，编程操作进行中
1：段编程操作有效，当前数据已经正确地写入FLASH存储器，后续编程数据被列入计划
ACCVIFG——非法访问中断标志。当对FLASH阵列进行编程或擦除操作时不能访问FLASH，否则将使得该位置位
0：没有对FLASH存储器的非法访问
1：有对FLASH存储器的非法访问
KEYV——安全键值（口令码）出错标志位
0：对3个控制寄存器的访问，写入时高字节是0A5H
1：对3个控制寄存器的访问，写入时高字节不是0A5H，同时引发PUC信号
KEYV不会自动复位，须用软件复位
BUSY——忙标志位。该位只读。每次编程或擦除之前都应该检查BUSY位。当编程或擦除启动后，时序发生器将自动设置该位为1，操作完成后BUSY位自动复位
0：FLASH存储器不忙
1：FLASH存储器忙
可以在程序中擦写FLASH这样就不用判断Busy的标志，因为只有擦写完成的时候FLASH才有效！程序才能继续走！如果把程序拷到RAM中擦除就要判断BUSY了！
擦写完成后可以不用LOCK，用LOCK只是一个保险作用！防止你对FLASH的非法操作
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