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写MSP430片内flash

时间:11-25 来源:互联网 点击:

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除电压的电压发生器。


Msp430的Flash存储器的特点有:


1) 产生内部编程电压


2) 可位、字节、字编程,可以单个操作,也可以连续多个操作


3) 超低功耗操作


4) 支持段擦除和多段模块擦除


2 Flash存储器的分割


Msp430 Flash存储器分成多个段。可对其进行单个字节、字的写入,也可以进行连续多个字、字节的写入操作,但是最小的擦除单位是段。

Flash 存储器被分割成两部分:主存储器和信息存储器,两者在操作上没有什么区别。两部分的区别在于段的大小和物理地址的不同。

以Msp430F149为例,信息存储器有两个128字节的段,即segmentA和segmentB,主存储器有多个512字节的段。Msp430F149内部Flash的地址为0x1000H~0xFFFFH,计60K。信息段SegA的起始地址为0x1080H,信息段SegB的起始地址为0x1000H。

3 Flash存储器的操作

在默认状态下,处于读操作模式。在读操作模式中,Flash存储器不能被擦除和写入,时序发生器和电压发生被关闭,存储器操作指向ROM区。

Msp430 Flash存储器在系统编程ISP(in-system programmable)不需要额外的外部电压。CPU能够对Flash直接编程。Flash存储器的写入/擦除通过BLKWRT、WRT、MERAS、ERASE等位确定。

3.1 擦除

Flash存储器各位的缺省值为1,每一位都可以单独编程为0,但只有擦除操作才能将其恢复为1。擦除操作的最小单位是段。通过erase和meras位设置可选择3种擦除模式。


MERAS


ERASE


擦除模式


0


1


段擦除


1


0


多段擦除(所有主存储器的段)


1


1


整体擦除(LOCKA=0时,擦除所有主存储器和信息存储器的段;主存储器的段只有当LOCKA=0时可以擦除)


擦除操作开始于对擦除的地址范围内的任意位置执行一次空写入。空写入的目的是启动时序发生器和擦除操作。在空写入操作之后,BUSY位自动置位,并保持到擦除周期结束。BUSY、MERAS、ERASE在擦除周期结束后自动复位。

3.2 写入

写入模式由WRT和BLKWRT位进行设置。


BLKWRT(块写入模式选择)


WRT(写模式选择位)


写入模式


0


1


单字节、单字写入


1


1


块写入

所有的写入模式使用一系列特有的写入命令,采用块写入的速度大约是单个写入的2

倍,因为电压发生器在块写入完成器件均能保持。对于这两种写入模式,任何能修改目的操作数的指令均能用于修改地址。一个Flash字不能再擦除器件进行两次以上的写入。

当启动写入操作时,BUSY置位,写入结束时复位。

4 操作编程

4.1 Flash擦除

对Flash要写入数据,必须先擦除相应的段,且对Flash存储器的擦除必须是整段进行的,可以一段一段擦,也可以多段一起擦除。擦除操作的顺序如下:

1) 选择适当的时钟源和分频因子;

2) 清除LOCK位

3) 判断BUSY位,只有当BUSY=0时才可以执行下一步

4) 使能段操作,设置ERASE、MERAS位等(如果是擦除一段,则ERASE=1,如果擦除多段,则MERAS=1,如果擦除整个Flash,则ERASE=1,MERAS=1)

5) 对擦除的地址范围内的任意位置作一次空写入,以启动擦除操作

6) 在擦除周期内,时钟源始终有效,不修改分频因子

7) 操作完成后,置位LOCK

根据上述操作顺序,编写程序代码如下:

void FlashErase(unsigned int adr)

{

uchar *p0;

(关闭中断:_DINT();//关闭总中断 本人注)

FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 + FN4;//选择时钟源,分频

FCTL3 = FWKEY;//清除LOCK

while(FCTL3 & BUSY);//如果出于忙,则等待

FCTL1 = FWKEY + ERASE;//使能段操作

p0 = (unsigned char *)adr;//数值强制转换成指针

*p0 = 0; //向段内任意地址写0,即空写入,启动擦除操作

FCTL1 = FWKEY;

FCTL3 = FWKEY + LOCK;

while(FCTL3 & BUSY);( _EINT(); //开总中断 本人注)

}

4.2 写入

对Flash的写入数据可以是单字、单字节,也可以是连续多个字或字节(即块操作)。编程写入操作的顺序如下:

1) 选择适当的时钟源和分频因子;

2) 清除LOCK位

3) 判断BUSY位,只有当BUSY=0时才可以执行下一步操作

4) 使能写入功能,设置WRT、BLKWRT(如果写入单字或单字节则WRT=1,如果是块写入,或者是多字、多字节连续写入则WRT=1,BLKWRT=1);

5) 判断BUSY位,只有当BUSY=0时才可以执行下一步操作

6) 写入数据

7) 判忙,完了之后清除WRT,置位LOCK

根据上述操作顺序,编写程序代码如下:

//write single byte

//Adr 为要编程的地址,没有奇偶地址要求、DataB为要编程的字节数据

void FlashWB(unsigned char Adr,unsigned char DataB)

{

FCTL2 = FWKEY + FSSEL_1 + FN3 + FN4;//MCLK 16*FN4 + 8*FN3

FCTL3 = FWKEY;

FCTL1 = FWKEY + WRT;

while(FCTL3 & BUSY);

*((unsigned int *)Adr)=DataB;//数值强制转换成指针,指向地址数据Adr所表示的内存单元(*((unsignedchar *)Adr)?本人注)

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