关于STM32的FLASH操作

开，不会出错，并且依然是打开的。

很显然，进行选项字节操作前，先要解开闪存锁，然后打开选项字节写使能，之后，才能进行选项字节操作。

选项字节擦除

建议使用如下步骤对选项字节进行擦除：

1．检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的闪存操作。

2．解锁FLASH_CR寄存器的OPTWRE位。即，打开写使能。

3．设置FLASH_CR寄存器的OPTER位为1。选择选项字节擦除操作。

4．设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1。

5．等待FLASH_SR寄存器的BSY位变为0，表示操作完成。

6．查询FLASH_SR寄存器的EOP位，EOP为1时，表示操作成功。

7．读出选项字节并验证数据。

由于选项字节只有16字节，因此，擦除时是整个选项字节都被擦除了。

选项字节编程

建议使用如下步骤对选项字节进行编程：

1．检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的编程操作。

2．解锁FLASH_CR寄存器的OPTWRE位。即，打开写使能。

3．设置FLASH_CR寄存器的OPTPG位为1。选择编程操作。

4．写入要编程的半字到指定的地址。启动编程操作。

5．等待FLASH_SR寄存器的BSY位变为0，表示操作完成。

6．查询FLASH_SR寄存器的EOP位，EOP为1时，表示操作成功。

7．读出写入的选项字节并验证数据。

对选项字节编程时，FPEC使用半字中的低字节并自动地计算出高字节(高字节为低字节的反码)，并开始编程操作，这将保证选项字节和它的反码始终是正确的。

主存储块的保护

可以对主存储块中的数据进行读保护、写保护。

读保护用于保护数据不被非法读出。防止程序泄密。

写保护用于保护数据不被非法改写，增强程序的健壮性。

读保护

主存储块启动读保护后，简单的说具有以下特性：

1．从主存储块启动的程序，可以对整个主存储块执行读操作，不允许对主存储块的前4KB进行擦除编程操作，可以对4KB之后的区域进行擦除编程操作。

2．从SRAM启动的程序，不能对主存储块进行读、页擦除、编程操作，但可以进行主存储块整片擦除操作。

3．使用调试接口不能访问主存储块。

这些特性足以阻止主存储器数据的非法读出，又能保证程序的正常运行。

只有当RDP选项字节的值为RDPRT键值时，读保护才被关闭，否则，读保护就是启动的。因此，擦除选项字节的操作，将启动主存储块的读保护。如果要关闭读保护，必须将RDP选项字节编程为RDPRT键值。并且，如果编程选项字节，使RDP由非键值变为键值（即由保护变为非保护）时，STM32将会先擦除整个主存储块，再编程RDP。

芯片出厂时，RDP会事先写入RDPRT键值，关闭写保护功能。

写保护

STM32主存储块可以分域进行写保护。

如果试图对写保护的域进行擦除或编程操作，在闪存状态寄存器(FLASH_SR)中会返回一个写保护错误标志。

STM32主存储块每个域4KB，WRP0-WRP3选项字节中的每一位对应一个域，位为0时，写保护有效。对于超过128KB的产品，WRP3．15保护了域31及之后的所有域。

显然，擦除选项字节将导致解除主存储块的写保护。

选项字节与它的寄存器映象

我们知道，FPEC有两个寄存器存储了选项字节的映象。那么，选项字节本体（在FLASH中）与映象（在寄存器中）究竟有什么区别呢？

选项字节的本体只是个FLASH，它的作用只是掉电存储选项字节内容而以，真正起作用的是寄存器中的映象。即，一个配置是否有效，不是看本体，而是看映象。而映象是在复位后，用本体的值加载的，此后，除非复位，映象将不再改变。所以，更改本体的数据后，不会立即生效，只有复位加载到映象中后，才会生效。

有一点要注意的是，当更改本体的值，使主存储块读保护变为不保护时，会先擦除整片主存储块，然后再改变本体。这是唯一一个改变本体会引发的动作。但即使这样，读保护依然要等到复位后，加载到映象后，才会解除。

关于FLASH编程手册中文版的几处错误（不一定是，但是与我的理解不符）

1．选项字节编程一节中：

对FPEC解锁后，必须分别写入KEY1和KEY2(见2.3.1节)到FLASH_OPTKEYR寄存器，再设置FLASH_CR寄存器的OPTWRE位为’1’，此时可以对选项字节进行编程

实际上，对FLASH_OPTKEYR写入KEY1和KEY2后，OPTWRE位会被硬件置1，而不是用软件写1。这一点在后面的寄存器描述中也可以得到验证。

2．对读保护的描述中：

对读保护的数值对无法理解。正确的应该是，RDP为RDPRT键值时，解除读保护，为其它值时，读保护生效。