2440裸机学习心得(下)

据写入到norflash的地址中。

复位函数： reset_en29lv160ab(void)

是向任一地址写入复位命令0xF0

擦除函数： en29lv160ab_sector_erase(U32 section_addr)

第一个周期是把命令0xAA写入地址为0x555的命令寄存器中，

第二个周期是把命令0x55写入地址为0x2AA命令寄存器中，

第三个周期是把命令0x80再写入地址为0x555命令寄存器中，

第四个周期是把命令0xAA写入地址为0x555的命令寄存器中，

第五个周期是把命令0x55再写入地址为0x2AA命令寄存器中，

第六个周期是把命令0x30写入要擦除块的首地址内

验证函数： check_toggle()

连续两次读取数据总线上的数据，判断数据总线上的第6位数值（DQ6）是否翻转，如果没有翻转则正确，否则还要判断第5位（DQ5），以确定是否是因为超时而引起的翻转。

读ID函数：get_en29lv160ab_id()

第一个周期是把命令0xAA写入地址为0x555的命令寄存器中，

第二个周期是把命令0x55写入地址为0x2AA命令寄存器中，

第三个周期是把命令0x90再写入地址为0x555命令寄存器中，

第四个周期为读取地址为0x100中的内容，即厂商ID（0x1C）。

读取设备ID的过程的前三个周期与读取厂商ID相同，第四个周期是读取地址为0x01中的内容，即设备ID（0x2249）

问题1：

原来真的是写得块地址问题，写到前面的0x400就行，写后一点如0xf0000就读不出来了，0x0000 0000–0x0800 0000为NorFlash，为什么后面的不行呢？

问题2：

本来擦除后写完能读出写的内容，但再复位后不写，只读回上次地址，发现读出不同的数据

而且好像擦除后就算返回return 1也没用，擦后读回那地址，也不是全部数据为0的，也是有值的

13、NANDFLASH操作

nandflash为K9F2G08U0A，它是8位的nandflash

一个劣势是很容易产生坏块，因此在使用nandflash时，往往要利用校验算法发现坏块并标注出来

K9F2G08U0A的一页为（2K＋64）字节（加号前面的2K表示的是main区容量，加号后面的64表示的是spare区容量），它的一块为64页，而整个设备包括了2048个块

内存容量大小计算：

要实现用8个IO口来要访问这么大的容量，K9F2G08U0A规定了用5个周期来实现。

列地址是用于寻址页内空间，行地址用于寻址页，如果要直接访问块，则需要从地址A18开始。

CMD_STATUS读状态命令可以实现读取设备内的状态寄存器，通过该命令可以获知写操作或擦除操作是否完成（判断第6位），以及是否成功完成（判断第0位）。

自己编写NANDFLASH的步骤：（进行块擦除，页写，页读）

1、在头文件中列出相关的固量 和 函数 宏

常用的各种命令集；一些基于NANDFLASH控制器的基本函数

ECC应用和使能nandflash片选；NFSTAT寄存器

一些返回判断值的宏定义

2、写出几个基本的初始化函数：

管脚，寄存器初始化函数 ； 复位函数 ； 读NANDID号函数

3、相关的检测判断函数：

A、检测是否写擦除成功函数NF_toggle：通过NF_CMD(CMD_STATUS)状态位

B、测试是否坏块函数NF_testBadBlock：读取2054处坏块标志位

C、写坏块标志函数NF_MarkBadBlock：写标志到 2054处

4、读、写、擦除函数：

具体自己看代码了，有两点要注意了：

A、读操作 检测正确性是通过ECC检验码，而写和擦除是通过toggle函数

B、随机读写是 在读页，写页的基础上 加上列的部分

注意区别两个东西：

1、ECC检验码的判断

读操作来说，我们还要继续读取spare区的相应地址内容，已得到上次写操作时所存储的main区和spare区的ECC，并把这些数据分别放入NFMECCD0/1和NFSECCD的相应位置中。最后我们就可以通过读取NFESTAT0/1（因为K9F2G08U0A是8位IO口，因此这里只用到了NFESTAT0）中的低4位来判断读取的数据是否正确，其中第0位和第1位为main区指示错误，第2位和第3位为spare区指示错误。

2、坏块的判断

对于写页和擦除操作来说，通过toggle函数检测：

NF_CMD(CMD_STATUS); //读状态命令

//判断状态值的第6位是否为1，即是否在忙

//判断状态值的第0位是否为0，为0则写操作正确，否则错误

若第0位操作错误，则该块为 坏块

3、main区和spare区的解锁只为了产生ECC码，一旦产生后，就要锁上，打开另外区的，不要影响互相顺序的ECC码产生

扩展：从NANDFLASH启动程序

当检测到是由nandflash启动时，系统会自动把nandflash中的前4k字节的数据加载到Steppingstone中，然后把该Steppingstone映射为Bank0，因此系统会从Steppingstone开始运行程序，从而实现了s3c2440的nandflash自启动的功能

通过在Steppingstone中，把程序的其余部分复制到RAM中，程序运行时由Steppingstone转移到该RAM中，SRAM起始地址0x30000000

RdNF2SDRAM是C语言编写的一段把nandflash中