RF MEMS与RF SOI技术谁能称霸？

的升级。今天的LTE网络频段介于700 MHz到3.5 GHz之间。相比之下，5G不仅与LTE共存，而且还将在30 GHz至300 GHz之间的毫米波段内运行。5G将数据传输速率提高到10Gbps以上，即LTE的100倍。但5G的大规模部署预计得到2020年及以后了。

无论如何，5G需要一个新的组件。"（45nm RF SOI）主要集中在5G毫米波前端，它集成了PA、LNA、开关、移相器，为5G系统创建了一个集成的毫米波可控波束形成器。"GlobalFoundries的Rabbeni说。

5G还有其它的解决方案，RF MEMS就是其中一种可能。此外，TowerJazz和加利福尼亚大学圣地亚哥分校最近展示了一个12Gbps的5G相控阵芯片组。该芯片组采用了TowerJazz的SiGe BiCMOS技术。

哪种工艺将胜出？只有时间会告诉我们答案。"目前尚不清楚RF MEMS是否在5G应用上具有优势。"Strategy Analytics的Taylor说。