RF MEMS与RF SOI技术谁能称霸？

Strategy AnalyTIcs的分析师Chris Taylor表示："RF MEMS能够提供非常低的导通电阻，从而降低插入损耗。但RF MEMS缺乏生产追踪记录，大批量的无线系统OEM厂商将不会盲目对新技术和小型供应商买单。当然，相较于RF SOI器件，RF MEMS的价格必须有足够的竞争力，但还有一个主要的障碍是，OEM厂商需要验证产品可靠性，需要可靠的供应来源。"

射频前端

智能手机是混合了RF开关、天线调谐器和其他组件商业环境的大市场，它的数据值得一看。根据Pacific Crest Securities的数据，2017年，全球智能手机出货量预计将增长1％，而在刚刚过去的2016年，智能手机的年增长率也仅有1.3％。

另一方面，根据YoleDéveloppement的数据，智能手机的RF前端模块/组件市场规模预计将从2016年的101亿美元跃升至2022年的227亿美元。据Strategy Analytics分析，2016年，RF开关设备市场规模为17亿美元。

随着OEM厂商继续在智能手机中增加更多RF组件，RF市场正在不断增长。"多频段LTE也正在向低端设备普及，"Strategy Analytics的Taylor说。"RF开关组件市场正在增长。"

在手机网络转向4G或长期演进（LTE）的过程中，每台手机的RF开关设备数量都有所增加。"我们谈论的出货量单位非常巨大，"Taylor说。"现在，大多数RF开关设备（并非全部）应用在手机上，其中绝大多数使用了RF SOI制造工艺。RF MEMS仍然是新兴事物，相对于RF SOI开关来说微不足道。"

尽管RF开关的出货量巨大，但市场竞争激烈，价格压力较大。Taylor说，这些设备的平均销售价格（ASP）为10至20美分。

尽管RF开关的出货量巨大，但市场竞争激烈，价格压力较大。Taylor说，这些设备的平均销售价格（ASP）为10至20美分。

同时，在一个简单的系统中，RF前端由多个组件组成 - 功率放大器、低噪声放大器（LNA）、过滤器和RF开关。

GlobalFoundries的技术人员Randy Wolf在最近的一个演讲中说："功率放大器的主要目的是确保有足够的能量，可以让您的信号或信息到达目的地。

LNA放大来自天线的小信号。RF开关将信号从一个组件路由到另一个组件。"过滤器可防止任何不需要的信号进入后端，"Wolf说。

在手机上，2G和3G无线网络的射频功能非常简单。2G只有四个频段，3G有五个频段。但4G有40多个频段。4G不仅融合了2G和3G的频段，而且还搭载了一系列4G频段。

除此之外，移动运营商部署了一种称为载波聚合的技术。载波聚合将多个信道或分量载波组合到一个大数据管道中，在无线网络中实现更高的带宽和更快的数据速率。

为了应对多个频段和载波聚合，OEM厂商需要复杂的RF前端模块。今天的RF前端模块会集成两个或多个多模多频带功率放大器，以及多个开关和过滤器。"这取决于所采用的RF架构。功率放大器的数量由手机可寻址的地区频带决定。"Qorvo移动战略营销经理Abhiroop Dutta表示："使用单个SKU在全球范围内应对多地区/全球蜂窝市场的典型"全网通"手机，频段覆盖面非常广泛。在这种手机典型的集成RF前端模块的实现中，一个工程选择是使用具有分频带模块的射频前端，以应对高、中、低频带的不同要求。"

相比之下，还有另外一种情况，智能手机OEM厂商可能会针对特定市场设计专用手机。"一个例子是针对中国大陆市场的手机。在这种情况下，RF前端需要支持该地区特有的频段，"Dutta说。

根据Cavendish Kinetics的说法，LTE手机上有两种天线，主集天线和分集天线。基本上，主集天线用于发射/接收功能，分集天线用于提高手机的下行数据速率。

在实际操作中，信号首先到达主集天线，然后移动到天线调谐器上，这允许系统调整到任何频带。然后，信号进入一系列射频开关。"它转换到您要使用的适用频段说，比如GSM、3G或4G，"GlobalFoundries的Wolf说。"从那里，信号进入滤波器，然后是功率放大器，最后到达接收器。"

尽管RF开关的出货量巨大，但市场竞争激烈，价格压力较大。Taylor说，这些设备的平均销售价格（ASP）为10至20美分。

考虑到这种复杂性，手机OEM厂商面临一些挑战，功耗和尺寸至关重要。"由于这种复杂性，信号在前端会遭到更多损失，这对您的接收机的总体噪声系数将造成负面影响，"Wolf说。

显然，RF开关在解决这个问题方面起关键作用。总的来说，智能手机可能包含10多个RF开关设备。基本的RF开关采用单刀单掷（SPST）配置。这是一种简单的on-off型开关。

今天，OEM厂商使用更复杂的开关类型。Ron * Coff是RF开关的关键指标。根据Peregrine Semiconductor，"Ron * Coff是反