ARM开发步步深入之SDRAM编程示例

实验目的：改变“点灯大法”的执行地点，从NandFlash的Steppingstone转到SDRAM中执行，借此掌握存储控制器的使用。

实 验环境及说明：恒颐S3C2410开发板H2410。H2410核心板扩展有64MB的SDRAM，用于设置程序堆栈和存放各种变量。SDRAM选用了两 片三星公司的K4S561632(4M*16bit*4BANK)，两片拼成32位数据宽度的SDRAM存储系统，并映射到S3C2410的 SROM/SDRAM的BANK6，地址范围是0x30000000~0x33FFFFFF。

实 验思路：开发板上电启动后，自动将NandFlash开始的4K数据复制到SRAM中，然后跳转到0地址开始执行，然后初始化存储控制器，把程序本身从 SRAM中复制到SDRAM中，最后跳转到SDRAM中运行。故问题的关键是SDRAM的初始化，根据S3C2410的Datasheet，要使用 SDRAM，就需配置存储控制器的13个寄存器。

知识掌握：SDRAM和13个存储控制器的寄存器。

一、SDRAM：

CPU 提供了一组用于SDRAM的信号：SDRAM时钟有效信号SCKE;SDRAM时钟信号SCLK0/SCLK1;数据掩码信号DQM0/DQM1 /DQM2/DQM3;SDRAM片选信号nGCS0(与nGCS6是同一引脚的两个功能);SDRAM行地址选通脉冲信号nSRAS;SDRAM列地址 选通脉冲信号nSCAS;写允许信号nWE(不是SDRAM专用的);

★SDRAM结构：SDRAM的内部是一个存储阵列，检索时先指定一个行，再指定一个列，就可以准确地找到所需要的单元格，这就是SDRAM寻址的基本原理;单元格被称为存储单元，表格就是逻辑BANK，SDRAM一般含有4个逻辑BANK。

★SDRAM 的访问：SDRAM片选信号nGCS0有效;逻辑BANK选择;对选中的芯片进行统一的行/列寻址;CPU会从32位的地址中自动分出 逻辑BANK选择信号、行地址信号、列地址信号，然后先后发出行地址信号、列地址信号，逻辑BANK选择信号在发出行地址信号的同时发出，并维持到列地址 信号结束;找到了存储单元后，被选中的芯片就要进行统一的数据传输了。

二、存储控制器的寄存器：

★BWSCON(Bus width & wait status control register，总线位宽和等待状态控制寄存器):此寄存器用于配置BANK0~BANK7的位宽和状态控制，每个BANK用4位来配置，分别是：

● ST(启动/禁止SDRAM的数据掩码引脚。对于SDRAM，此位置0;对于SRAM，此位置1)

● WS(是否使用存储器的WAIT信号，通常置0为不使用)

● DW(两位，设置位宽。此板子的SDRAM是32位，故将DW6设为10)

特 殊的是bit[2:1]，即DW0，设置BANK0的位宽，由板上的跳线决定，只读的。其实只需将BANK6对应的4位设为0010即可，在此处 BWSCON先设置为0x02000000。SDRAM接BANK6对应的[27:24]位，同时注意BANK0比较特殊，如下图所示：

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★BANKCON0~BANKCON7： 用来分别配置8个BANK的时序等参数。SDRAM是映射到BANK6和BANK7上的(内存只能映射到这两个BANK，具体映射多大的空间，可用 BANKSIZE寄存器设置)，所以只需参照SDRAM芯片的Datasheet配置好BANK6和BANK7，BANKCON0~BANKCON5使用 默认值0x00000700即可。对于BANKCON6和BANKCON7中的各个位的描述：

●MT(bit[16:15])：设置本BANK映射的物理内存是SRAM还是SDRAM，后面的低位就根据此MT的选择而分开设置。本板子应置0b11，所以只需要再设置下面两个参数

●Trcd(bit[3:2])：RAS to CAS delay(00=2 clocks,01=3 clocks,10=4 clocks)，推2410手册上的荐值是0b01。我们PC的BIOS里也可以调节的，应该玩过吧。

●SCAN(bit[1:0])：Column address number(0