ARM开发步步深入之NandFlash 4KB突围

 发出片选信号 */

static void s3c2410_nand_select_chip(void)

{

int i;

s3c2410nand->NFCONF &= ~(1<<11); //对NFCONF的11位写0，激活NandFlash

for(i=0; i<10; i++);

}

/* 取消片选信号 */

static void s3c2410_nand_deselect_chip(void)

{

s3c2410nand->NFCONF |= (1<<11); //对NFCONF的11位写1，使NandFlash不活动

}

/* 发出命令 */

static void s3c2410_write_cmd(int cmd)

{

volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)&s3c2410nand->NFCMD;

*p = cmd;

}

/* 发出地址 */

static void s3c2410_write_addr(unsigned int addr)

{

int i;

volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)&s3c2410nand->NFADDR;

*p = addr & 0xff;

for(i=0; i<10; i++);

*p = (addr >> 9) & 0xff;

for(i=0; i<10; i++);

*p = (addr >> 17) & 0xff;

for(i=0; i<10; i++);

*p = (addr >> 25) & 0xff;

for(i=0; i<10; i++);

}

/* 读取数据 */

static unsigned char s3c2410_read_data(void)

{

volatile unsigned char *p = (volatile unsigned char *)&s3c2410nand->NFDATA;

return *p;

}

//设置TACLS、TWRPH0、TWRPH1三者的值，貌似ViVi等代码中TWRPH0设为3，不知这样的好处，知道的可以告诉我!

#define TACLS 0

#define TWRPH0 2

#define TWRPH1 0

/* 初始化NandFlash */

void nand_init(void)

{

/* 使能NandFlash控制器, 初始化ECC, 禁止片选, 设置时序 */

s3c2410nand->NFCONF = (1<<15)|(1<<12)|(1<<11)|(TACLS<<8)|(TWRPH0<<4)|(TWRPH1<<0);

/* 复位s3c2410 NandFlash */

s3c2410_nand_reset();

}

#define NAND_SECTOR_SIZE 512

#define NAND_BLOCK_MASK (NAND_SECTOR_SIZE - 1)

/* 读函数 */

void nand_read(unsigned char *buf, unsigned long start_addr, int size)

{

int i, j;

if ((start_addr & NAND_BLOCK_MASK) || (size & NAND_BLOCK_MASK)) {

return ; /* 地址或长度不对齐 */

}

/* 选中芯片 */

s3c2410_nand_select_chip();

for(i=start_addr; i < (start_addr + size);) {

/* 发出READ0命令 */

s3c2410_write_cmd(0);

/* 写地址*/

s3c2410_write_addr(i);

/*等待*/

s3c2410_wait_idle();

for(j=0; j < NAND_SECTOR_SIZE; j++, i++) {

*buf = s3c2410_read_data();

buf++;

}

}

/* 取消片选信号 */

s3c2410_nand_deselect_chip();

return ;

};