射频半导体材料的那点事

大幅提高。

因此，目前多以具有低噪声、电子移动速度快、且集成度高的SiBiCMOS制程为主。而主要的应用则以中频模块或低层的射频模块为主，至于对于低噪声放大器、功率放大器与开关器等射频前端组件的制造仍力有未逮。

氮化镓GaN

氮化镓并非革命性的晶体管技术，这种新兴技术逐渐用于替代横向扩散金属氧化物硅半导体（Si LDMOS）和砷化镓（GaAs）晶体管技术以及某些特定应用中的真空管。

与现有技术相比，氮化镓（GaN）的优势在于更高的漏极效率、更大的带宽、更高的击穿电压和更高的结温操作，这些特点经常作为推动其批量生产的重要因素，但在价格、可用性和器件成熟度方面还需加以综合考量。