应用散射技术测试复杂Spacer结构

ldown可预测的栅极电阻在0.68ohm/square之内；对于PFET则在1.4 ohm/square之内。图像的CPQ范围大约在3和4之间。Vother是主要的误差来源。即使在Vx的精度组件已确定并且并入Vx时也是如此。

此实验数据的物理解释是，由于pulldown增加，更多的栅极需面临以后的硅化物形成（氧化物隔板在硅化物成形前将去除）。形成更多的硅化物后，栅极电阻由于硅化物的高传导性而降低。

M1测试：栅极电阻
栅极电阻也会在 M1测试时进行测量，图4是它和氮化物spacer pulldown的关系。TPE和CPE显示，对NFET来说，氮化物pulldown可预测栅极电阻在0.73ohm/square之内；对于PFET则在0.82ohm/square内。CPQ的范围大约在3到4之间。再次对应于某个数据范围，足以显示出其间良好（但不是极佳）的关联性。此关联的物理解释和在PS测试中的解释相同。

图5对M1测试时测得的栅极电阻与多晶硅MCD进行比较。这一次，TPE和CPE两种度量都再次显示多晶硅MCD可预测栅极电阻到0.88ohm/square以内 (NFET)，或1.3ohm/square以内(PFET)。与氮化物pulldown比较，CPQ (～2-3) 值略低。这表示数据范围足以显示某些级别的关联。此关联的物理解释为：栅极CD更大，则其栅极顶部的表面区域也更多，以方便未来硅化物成形，这样会造成更低的栅极电阻。

M1测试：Lpoly
Lpoly是在M1测试中基于电容的栅极长度电性测量，它和栅极多晶硅MCD散射测量相关联（图6）。CPE 略小于TPE，因此电性测量误差非常小，但对整体误差却有明显影响。多晶硅MCD测量能够预测Lpoly的测量，对于NFET和PFET来说，其误差都在~1.5 nm以内。NFET的CPQ为～2-3，这表示数据范围对显示某些量级的关联已足够；PFET的CPQ为~5，这表示数据范围足以显示其良好的关联。Lpoly的测量表示它能够准确地测量物理栅极长度，因此应该与散射多晶硅MCD测量相关联。

M1测试：晶体管电流
图7显示了进行M1测量时，通过NFET (nIon) 的晶体管电流和氮化物pulldown测量相关联。再次发现CPE仅略小于TPE。氮化物pulldown测量预测NFET晶体管电流误差范围在～40μA/μm 以内，～2-3的CPQ值表示数据范围已足够显示某些关联。如前文所示，此实验数据的物理解释为：spacer被过度刻蚀，使得氮化物pulldown增加，导致掺杂的SOI层上层氧化物损耗增加。由于氧化物层减少，源漏掺杂剂向外扩散，更薄的氧化物导致更多的掺杂剂向外扩散。源漏中的掺杂剂变少会降低传导性，导致NFET源漏中的电流 (nIon) 减少。由于PFET中的搀杂剂差异，在pIon和PFET氮化物pulldown之间看不到类似的关联。