一种新的晶圆级1/f噪声测量方法

图2. 对一个pMOS管测得的漏极电流噪声

如前所述，我们测量的目标是提取噪声参数AF和KF。为了提取AF和KF，需要测量不同偏压条件下的电流噪声。图3给出了不同偏压下一个pMOS管的测量结果。

图3. 不同栅极偏压下测得的噪声数据

为了分析栅氧电容相关性或进行其他进一步的研究，我们还测量了不同栅氧厚度下的1/f噪声。图4给出了不同栅氧厚度下的测试结果。

图4. 不同栅氧厚度下pMOS器件的1/f噪声测量数据

然后，我们就可以估算出1/f噪声参数，建立不同的模拟模型。图5给出了在一个p沟道MOSFET的强反型区中测得的漏极电流噪声功率。

图5. 漏极电流1/f噪声与栅极偏压的关系

　　5. 结束语

本文介绍了一种评测MOSFET 1/f噪声的晶圆级测量方法和配置方案。这种测量技术可以在晶圆上自动进行。由于这种配置方案能够测出低于100Hz的低频噪声分量，因此能够有效提取到MOSFET的1/f噪声。

　　参考文献

[1]K.K. Hung, P. K. Ko, C. Hu, Y. C. Cheng, IEEE Transactions On Electron Devices, 37, pp.654-664 (1990)

[2]H. Wong, Microelectronics Reliability, 43, pp.585-599 (2003)

[3]A. Blaum, O. Pilloud, G. Scalea, J. Victory, F. Sischka, IEEE Int. Conference on Microelectronic Test Structures, 14, pp.125–130 (2001)