分析系统优化小电流测量(下)
VII 漏流和保护II
保护亦可用于减小电缆连接中的漏流。图12所示为驱动保护防止电缆的漏泄电阻影响小电流测量的原理.在无保护的配置中,同轴电缆的漏阻与DUT并联(RDUT),产生不希望的漏流(IL)。该漏流将影响极小电流的测量。
在保护电路中,三轴电缆的内芯屏蔽被连接至SMU的保护端子。现在,该屏蔽由一个单位增益低阻放大器(保护)驱动。Force HI端子和保护端子之间的电势差接近0V,所以漏流(IL)可忽略不计。
图12. 利用保护减小电缆连接中的漏流
为了查看测量极高电阻时三轴电缆和同轴电缆的结果,图13中绘出了采用10V阶跃函数测量100GΩ电阻的测量电流和时间的关系图。三轴电缆通过使用保护,以两种方式改善了测量:1)它减小了有效电缆电容,从而降低了测量的RC时间常数或建立时间;2)防止电缆中的漏流对测量准确度造成不利影响。
图13. 使用同轴电缆和三轴电缆测量高阻的结果比较
从图13可知,利用带有保护的三轴电缆进行测量,漏流较小(低几个pA),建立时间更短(大约快10倍)。如果SMU必须连接至采用BNC连接器的测试夹具,请在SMU和测试夹具之间使用吉时利三轴电缆,然后再将BNC连接至三轴适配器(去掉了保护),从而将电缆连接至测试夹具。
VIII SMU至DUT的连接
连接DUT时,除了使用屏蔽和保护电缆,将吉时利4200-SCS的相应端子与装置的合适端子相连接也非常重要。SMU的Force HI和Force LO端子连接不合适会导致电流偏移和测量不稳定。这些误差是由于共模电流产生的。
通常情况下,总是将SMU的高阻端子(Force HI)连接至被测电路的最大电阻点。同样,总是将4200-SCS的低阻端子(Force LO)连接至被测电路的最小电阻点。最小电阻点可以是公共端子或接地。如果Force HI端子被连接至最小电阻点,共模电流就会通过测量电路。
图14中标出了正确和不正确的测量连接。图14a中的连接是正确的,因为吉时利4200-SMU的Force HI端子被连接至晶圆上器件的栅极,而Force LO端子被连接至带有保护的吸盘。晶圆上的栅极端子为最大阻抗点,保护吸盘为低阻抗点,所以该电路的连接正确。请注意,共模电流从SMUde Force LO端子流至保护吸盘;然而,电流并不通过安培计,因此不会影响测量。
图14. 将SMU连接至保护吸盘上的器件
图14b中的连接是不正确的,它将SMU的Force LO端子连接至高阻栅极,将SMU的Force HI端子连接至保护吸盘。在这种情况下,共模电流将通过SMU以及DUT。这会造成测量不准确,甚至不稳定。
VIIII摩擦效应
摩擦电流是由于导体和绝缘体之间摩擦产生的电荷形成的。自由电子由于摩擦离开导体,造成电荷不平衡,由此产生电流。这种噪声电流可达到数十nA。图15所示为摩擦电流的流向。
吉时利4200-SCS配备的三轴电缆在外屏蔽的下方采用了浸渍石墨绝缘体,大大降低了这种影响。石墨提供了润滑和导体柱,均衡了电荷,并将电缆运动的摩擦效应产生的电荷降至最小。然而,即使这种类型的三轴电缆在受到振动和膨胀或收缩时,也会产生噪声。因此,所有连接应尽量短,避免温度变化(将产生热膨胀力),最好将电缆绑到不振动表面,例如墙、桌子或刚性结构。
图15. 摩擦效应产生的偏移电流
应采取其他措施将运动和振动问题降至最小:
消除或机械去耦振动源,例如马达、泵,以及其他机电装置。 将电子元件、接线和电缆牢固地安装或绑好。 使前置放大器尽量靠近DUT。压电效应和电荷存储效应
向绝缘端子和互连硬件中使用的特定晶体材料施加机械应力时,就会产生压电电流。在有些塑料中,少量的存储电荷就会导致该材料的行为类似于压电材料。图16所示为采用压电绝缘体的端子的一个例子。
图16. 压电效应产生的电流
为了将这些效应降至最小,请消除绝缘体的机械应力,并使用具有最小压电和电荷存储的绝缘材料。
十污染和湿度效应
高湿度或离子污染会大大降低测试夹具的绝缘电阻。凝露或吸水性会产生高湿度条件,而离子污染可能是体油、盐或焊接剂造成的。绝缘电阻降低会对高阻测量产生严重影响。此外,湿度或潮湿可能会与出现的污染相组合,形成会产生偏移电流的电化效应。例如,常用的环氧印制电路板,如果没有彻底清除蚀刻溶液、焊接剂或其他污染,就会在导体之间产生几个nA的电流(参见图17)。
图17. 污染和湿度造成的电流
为避免污染和湿度的影响,请选择防吸水的绝缘体,并将湿度保持在适当水平(理想<50%)。此外,请使测试系统中的全部组件和测试夹具保持清洁,避免污染。
接地环路
接地环路会产生杂散信号,可能是直流偏移或交流信号(通常为工频或工频的整数倍)。接地环路时由于测试电路中多处接
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