超快速IV测试技术-半导体器件特性测试的变革

看到的IG脉冲波形，对于dran端，DX电容比D-outside小很多，但还是能够看到一个小小的凸起。

波形抓取可以说是脉冲IV的基础，所谓脉冲IV就是根据需求打一系列波形到待测器件上，然后测试激励出来的电流波形，测试的核心思想是在一个预先设定的测量窗口内，将测到的所有电流点取平均。举一个例子，如果脉冲宽度是100纳秒，测量窗口预设为75%到90%，则测量就会在75纳秒到90纳秒内完成。之前提到测量的间隔是5纳秒，那么在75纳秒到90纳秒之间有5个点，这5个点的电流取平均就是我们要测试的目标电流，而客户需要定义的是这一系列脉冲信号的参数，比如脉冲宽度、上升沿下降沿的时间、脉冲的幅值和基准电压等。

最后看一下作为脉冲发生器PMU可以做什么。首先PMU可以输出一个标准的脉冲信号，其次PMU可以用一种second mode方式产生多阶脉冲信号，最后PMU可以产生任意波形，可以在前两种信号形式下进行任意量测。

问答选编

问：此测试技术的误差一般会有多大?

答：误差和测量的速度有关，假设你希望测量在100ns内完成，精度为50uA，如果测量在1ms内完成，则精度可以到pA量级。

问：能介绍一下这里所说的变革与之前的主要差异在哪里吗?

答：以前的测试是用直流的SMU中的仪表进行量程的，而PMU则是用内置的示波器和脉冲发生器完成的。

问：超快速IV测试的超快速反映在哪些指标上?

答：最快的脉冲是20ns，采样率是200MS/S也就是5ns一个测试点。

问：超快速IV测试的输出结果有几种形式? 能和PC相连吗?

答：PMU是吉时利4200-SCS的一块插卡，你必须有一台4200-SCS才能进行超快速IV量测。

问：纳米管的IV特性如何进行测量?需要什么样的仪器?

答：您需要一台4200半导体测试仪，用4200内部的SMU进行直流IV的测试，用4200内部的CVU进行CV的量测，内部的PMU进行超快速IV量测。

问：采用超快速IV测试会有什么优势?

答：采用超快速IV测试会解决在超快速测量下保持相当好的精度，在很多瞬态测试中有着尖端需求。

问：DDR3的测试还需要配置哪些附属设备?

答：DDR3的测试通常不需要使用PMU这样的仪器，您只需要一个脉冲发生器对DDR3进行擦写，然后用SMU进行量测。

问：有车载产品的信号调理的实例吗?

答：为进一步了解您的测试需求，我们需要了解您提到的车载产品的应用需求。PMU是针对半导体特性分析领域的产品，您可以进一步关注keithley精密电子市场相关的测试仪表。

问：超快速IV测试需要考虑器件的热效应或热阻的影响吗?

答：我们可以提供100ns内的IV量测，如果您的器件的自热在100ns后才会发生，那么就能得到一组没有自热效应的曲线。

问：常规的IV特性测试和频响测试有何异同点?

答：常规的IV特性是直流下的特性，也就是说SMU施加的应力会一直加载在器件上，而SMU完成量测通常要几个毫秒，这种应力的施加会使得器件发生一些反应，而超快速IV量测则可以在ns级别完成测试。

问：Model4225-PMU模块的探头有几种类性? 有探针的吗?

答：我们针对Cascade和Suss的探针台有两款专门的探针组，分别是4210-MMPC-C和4210-MMPC-S。对于别的探针台我们提供一组特别的Y-Cable，实现近段接地。

问：Model4225-PMU电压和电流地测量精度有多高? 重复性如何?

答：根据不同的测量速度有不同的精度，100ns脉冲下完成的测试，精度为50uA，而1ms下的脉冲精度则可以提高到800pA

问：吉时利仪器超快速IV测试技术是否具有独特创新优势?

答：PMU是第一个能实现在ns级别下进行准确IV量测的仪器，PMU将电流示波器、电压示波器以及一个脉冲发生器整合在一个仪表内，这样的设计在过去是没有的。

问：目前照明用LED的结温测试多用恒流脉冲测试其正向压降得出，请介绍一下超快速IV测试技术在这方面的应用。

答：LED的结温测试是keithley的典型应用之一，PMU产生的是电压脉冲，你可以关注keithley 2600系列源表，还有2651A的产品在LED节温测试的应用。

问：超快速IV特性具体内涵是什么? 对器件特性的了解有何好处?

答：如果您想测试的器件有瞬态效应，例如自发热效应、电荷捕获效应等，就会需要超快速IV量测了。

问：如何避免地线所形成的回路电流对测量的影响?

答：要解决接地点问题，多点共地，消除接地点的电位差，可以避免地线形成回路电流。

问：Model4225-PMU Ultra-Fast IV模块和哪那些测试设备一起使用?

答：任何半导体器件，都可能需要直流IV、超快速IV以及CV，4200-SCS半导体参数测试仪就可以完成这三种测试。

问：DDR3测试主要包括哪些内容?Model4225-PMU Ultra-Fast IV模块能完成吗?

答：DDR3并不是PMU的目标应用，通常DDR值需要脉冲发生器和SMU就可以测试