微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 测试测量 > 测试测量技术文库 > 半导体器件及集成电路损坏的特点小结

半导体器件及集成电路损坏的特点小结

时间:07-31 来源:建设工程教育 点击:

(1)二、三极管的损坏一般是PN结击穿或开路。其中以击穿短路居多。此外,还有两种损坏表现一是热稳定性变差,表现为开机时正常、工作一段时间后。发生软击穿另一种是PN结的特性变差,用万用表Rx1K测,各PN结均正常,但上机后不能正常工作如果用RX10或RX1低量程挡测就会发现其NN结正向阻值比正常值大。测量二、三极管可以用指针万用表在路测量,较准确的方法是将万用表置RX10或Rx1挡(一般用RX10挡,不明显时再用Rx1挡〕在线测二、三极管的PN结正、反向电阻。如果正向电阻不太大《相对正常值〕反向电阻足够大(相对正向值)表明该PN结正常反之就值得怀疑。需焊下后再测。这是因为一般电跻的二、不极管外围电阻大多在几百、几千欧以上,用万用表低阻值挡在线侧量,可以基本忽略外围电阻对PN结电阻的影响。

(2)损坏的特点。集成电路内部结构复杂功能很多。任何一部分损坏都无法正常地工作。集成电路的损坏也有两种彻底损坏、热稳定性不良。彻底损坏时。可将其拆下。与正常的同型号集成电路对比测其每一引脚对地的正、反向电阻,总能找到其中一只或几只引脚阻值异常。对热稳定性差的,可以在设备工作时,用无水酒精冷却被怀疑的集成电路,如果故障发生时间推迟或不再发生故障,即可判定。通常只能通过更换新集成电路来排除。

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top