高频硅PNP晶体管3CG120高温失效机理研究

在这一试验温度段，漏电流ICBO和ICEO出现了围绕初始值减小的现象，如图3、图4。分析认为：BC结表面出现反型层，由于失掉了Si-SiO2界面处复合中心，所以反向电流变成了：IR=Igen,MJ+Igen,FIJ，所以反向电流相对于第二温度段(240～290℃)的反向电流大大减小，但仍大于Igen,MJ。
第4段：340℃-，试验温度在340℃之后，直流增益hFE表现出迅速减小的现象。使得该电流骤增，造成发射结局部发生不可逆的损伤，直流增益hFE迅速减小。同时造成了漏电流IBEO迅速增大，而击穿电压BVBEO快速减小的退化现象，如图5所示。

3 结论
文中通过对硅PNP型晶体管3CG120进行170～340℃温度范围内序进应力加速寿命试验，对3CG120在不同温度段的失效机理进行了研究，发现在170～240℃温度段内，样品的失效机理是：发射结中通过的正电荷，排斥SiO2层中的可动正离子趋向远离Si-SiO2界面，这将使基区表面从堆积到耗尽，导致复合电流增大，而引起增益的下降。
而在240～290℃温度段内，集电区产生本征激发，出现大量热电子、空穴，在反向偏压VBC的作用下，BC结上方Si-SiO2界面发生热空穴注入，导致增益改变；在290～340℃温度段内：BC结上方Si-SiO2界面热空穴持续注入，在SiO2界面空穴继续堆积，使集电区表面反型，导致增益的迅速下降。与室温失效机理一致的范围为：室温至240℃。