新型IGBT软开关在应用中的损耗研究

　　IGBT技术进步主要体现在两个方面：通过采用和改进沟槽栅来优化垂直方向载流子浓度，以及利用“场终止”概念（也有称为“软穿通”或“轻穿通”）降低晶圆n衬底的厚度。

　　此外，带有单片二极管的IGBT概念也经常被探讨。首先投产的逆导型IGBT是针对电子镇流器应用进行优化的，被称之为“LightMOS”。

　　TrenchStop和RC-IGBT技术

　　在采用的TrenchStop技术中，沟槽栅结合了场终止概念（见图1中的IGBT）。由于发射极（阴极）附近的载流子浓度提高，沟槽栅可使得导通损耗降低。场终止概念是NPT概念的进一步发展，包含一个额外的植入晶圆背面的n掺杂层。

　　将场终止层与高电阻率的晶圆衬底结合起来，能使器件的厚度减少大约三分之一，同时保持相同的阻断电压。随着晶圆厚度的降低，导通损耗和关断损耗也可进一步降低。场终止层掺杂度低，因此不会影响背面植入的低掺杂p发射极。为了实现RC-IGBT，二极管的部分n掺杂背面阴极（图1）将与IGBT集电极下面的p发射极结合起来。

　　RC-IGBT的沟槽栅概念所基于的技术与传统的TrenchStop-IGBT（见图2）相同，但针对软开关应用所需的超低饱和压降Vce（sat）进行了优化，比如电磁炉或微波炉应用。数以万计的沟槽栅通过金属（铝）相连，该金属铝层同时也是连线区。栅极和发射极之间的区域和端子被嵌入绝缘亚胺薄膜里。最新的投产型RC2-IGBT，其沟槽栅极更小，与标准TrenchStop-IGBT相比要多出150%的沟槽栅单元。图3为基于TrenchStop技术的最新一代RC2-IGBT的沟槽栅截面图。

　　超薄晶圆技术

　　由于导通电压和关断损耗在很大程度上取决于晶圆的厚度，因此需要做更薄的IGBT。图4显示了英飞凌600/1，200V IGBT和EMCON二极管的晶圆厚度趋势。对于新型1，200V RC-IGBT而言，120um厚度晶圆将是标准工艺。这需要进行复杂的晶圆处理，包括用于正面和背面的特殊处理设备。将晶圆变薄可通过晶圆打磨和湿式化学蚀刻工艺实现。

　　新型RC2-IGBT的优势

　　来自英飞凌的新型RC2-IGBT系列产品是以成熟的TrenchStop技术为基础的，具有超低饱和压降。此外，IGBT还集成了一个功能强大且正向电压超低的二极管。

　　新型RC2-IGBT的优势是针对软开关应用（比如微波炉、电磁炉和感应加热型电饭煲）进行优化的定制解决方案。与以前的器件相比，RC2-IGBT可提升性能，降低饱和压降损耗。这可导致非常低的总体损耗，因此所需的散热器更小。另外一个优势是最大结温被提高到TvJ（max）=175℃，比普通IGBT芯片提高了25℃。这种结温已通过TO-247无铅封装的应用验证。

　　图1：应用TrenchStop技术的RC-IGBT

　　图2 ：RC-IGBT芯片（IHW20N120R）前视图

　　图3：基于TrenchStop技术的最新一代RC2-IGBT的沟槽栅截面图（沟槽栅里的洞是为分析准备）

　　图4 ：IGBT和二极管晶圆厚度变化

　　在典型饱和压降Vce（sat）=1.6V@25℃/1.85V@175℃和典型正向电压Vf=1.25V@175℃（额定电流）的条件下，功率损（特别是软开关应用的导通损耗）可大幅度降低。由IHW20N120R2的下降时间的切线可看出高速度—tf=24ns@25℃和Rg=30Ω（44ns@175℃）。IHW30120R2在下降时间方面是最为出色的：tf=33ns@25℃，Rg=30Ω；tf=40ns@175℃。（在硬开关条件下测量，参见带有Eoff曲线的图6和图7）。

　　图5 ：来自英飞凌科技的最新一代RC2-IGBT（IHWxxN120R2，xx=15A、20A、25A和30A）。采用无铅电镀TO-247封装

　　IGBT技术进步主要体现在两个方面：通过采用和改进沟槽栅来优化垂直方向载流子浓度，以及利用“场终止”概念（也有称为“软穿通”或“轻穿通”）降低晶圆n衬底的厚度。

　　此外，带有单片二极管的IGBT概念也经常被探讨。首先投产的逆导型IGBT是针对电子镇流器应用进行优化的，被称之为“LightMOS”。

　　TrenchStop和RC-IGBT技术

　　在采用的TrenchStop技术中，沟槽栅结合了场终止概念（见图1中的IGBT）。由于发射极（阴极）附近的载流子浓度提高，沟槽栅可使得导通损耗降低。场终止概念是NPT概念的进一步发展，包含一个额外的植入晶圆背面的n掺杂层。

　　将场终止层与高电阻率的晶圆衬底结合起来，能使器件的厚度减少大约三分之一，同时保持相同的阻断电压。随着晶圆厚度的降低，导通损耗和关断损耗也可进一步降低。场终止层掺杂度低，因此不会影响背面植入的低掺杂p发射极。为了实现RC-IGBT，二极管的部分n掺杂背面阴极（图1）将与IGBT集电极下面的p发射极结合起来。

RC-IGBT的沟槽栅概念所基于的技术与传统的TrenchStop-IGBT（见图2）相同，但针对软开关应用所需的超低饱和压降Vce（sat）进行了优化，比如电磁炉或微波炉应用。数以万计的沟槽栅通过金属（铝）相连，该金属