利用计算机设计单片开关电源的方法与步骤
利用计算机设计单片开关电源的方法与步骤
下面对35个设计步骤作详细的阐述。
[步骤1]确定开关电源的基本参数
(1)交流输入电压最小值:Umin,见表1。
(2)交流输入电压最大值:Umax,见表1。
表1根据交流输入电压范围确定Umin、Umax值
交流输入电压U(V) | Umin(V) | Umax(V) |
---|---|---|
固定输入:100/115 | 85 | 132 |
通用输入:85~265 | 85 | 265 |
固定输入:230±15% | 195 | 265 |
表2反馈电路的类型及UFB参数值
反馈电路类型 | UFB(V) | UO的准确度(%) | SV(%) | SI(%) |
---|---|---|---|---|
基本反馈电路 | 5.7 | ±10 | ±1.5 | ±5 |
改进型基本反馈电路 | 27.7 | ±5 | ±1.5 | ±2.5 |
配稳压管的光耦反馈电路 | 12 | ±5 | ±0.5 | ±1 |
配TL431的光耦反馈电路 | 12 | ±1 | ±0.2 | ±0.2 |
(4)开关频率f:100kHz。
(5)输出电压UO(V):已知。
(6)输出功率PO(W):已知。
(7)电源效率η:一般取80%,除非有更好的数
据可用。
(8)损耗因数Z:Z代表次级损耗与总功耗的比
值。典型值为0.5。
[步骤2]根据输出要求,选择反馈电路的类型以及反馈电压UFB
详见表2。可从4种反馈电路中选择一种合适的电路,并确定反馈电压UFB的值。
[步骤3]根据U、PO值来确定输入滤波电容CIN、
直流输入电压最小值UImin
(1)令整流桥的响应时间tc=3ms。
(2)根据输入电压,从表3中查出CIN值。
(3)得到UImin的值。
表3确定CIN、UImin的值
交流输入电压U(V) | PO(W) | 比例系数(μF/W) | CIN(μF) | UImin(V) |
---|---|---|---|---|
固定输入:100/115 | 已知 | 2~3 | (2~3)×PO | ≥90 |
通用输入:85~265 | 已知 | 2~3 | (2~3)×PO | ≥90 |
固定输入:230±15% | 已知 | 1 | 1×PO | ≥240 |
(1)根据输入电压,从表4中查出UOR、UB值。
(2)步骤25将用到UB值来选择瞬变电压抑制器(TVS)的型号。
(3)TOPSwitch关断且次级电路处于导通状态时,
次级电压会感应到初级。感应电压UOR与UI相叠加后,加至内部功率开关管(MOSFET)的漏极上。此时初级漏感释放能量,并在漏极上产生尖峰电压UL。由于上述不利情况同时出现,极易损坏芯片,因此需给初级增加钳位保护电路。利用TVS器件来吸收尖峰电压的瞬间能量,使上述三种电压之和不超过漏-源击穿电压U(BR)DS值。
表4确定UOR、UB值
U(V) | UOR(V) | UB(V) |
---|---|---|
固定输入:100/115 | 60 | 90 |
通用输入:85~265 | 135 | 200 |
固定输入:230±15% | 135 | 200 |
[步骤5]根据UImin和UOR来确定最大占空比Dmax
Dmax的计算公式为:Dmax=×100%(1)
(1)MOSFET的通态漏-源电压UDS(ON)=10V。
(2)应在U=Umin时确定Dmax。
若将UOR=135V、UImin=90V、UDS(ON)=10V一并代入式(1),可计算出Dmax=64.3%,这与典型值67%非常接近。Dmax随着U的升高而减小,例如当U=Umax=265V时,Dmax=34.6%。
[步骤6]确定初级脉动电流IR与初级峰值电流IP的比值KRP
定义比例系数
KRP=IR/IP(2)
(1)当U确定之后,KRP有一定的取值范围。在110V/
115V或宽范围电压输入时,可选KRP=0.4,当230V输入时,取KRP=0.6。
(2)在整个迭代过程中,可适当增大KRP的值,但不得超过表5中规定的最大值。
表5确定KRP
U(V) | KRP | |
---|---|---|
最小值(连续模式) | 最大值(不连续模式) | |
固定输入:100/115 | 0.4 | 1.0 |
通用输入:85~265 | 0.4 | 1.0 |
固定输入:230±15% | 0.6 | 1.0 |
计算下列参数(电流单位均取A):
(1)输入电流的平均值IAVGIAVG=(3)
(2)初级峰值电流IPIP=(4)
(3)初级脉动电流IR〔可由式(2)求得〕
(4)初级有效值电流IRMSIRMS=IP(5)
[步骤8]根据电子数据表格和所需IP值,选择TOPSwitch芯片
(1)所选极限电流最小值ILIMIT(min)应满足
0.9ILIMIT(min)≥IP(6)
(2)若芯片散热不良,则选功率稍大些的芯片。
[步骤9和步骤10]计算芯片的结温Tj
(1)计算结温TjTj=〔IRMS2×RDS(ON)+CXT(UImax+UOR)2f〕·
RθA+25℃(7)
式中:CXT是漏极结点的等效电容。括号内第二项代表当交流输入电压较高时,由于CXT不断被充放电而引起的开关损耗,可用PCXT表示。
(2)计算过程中若发现Tj>100℃,应选功率较大的TOPSwitch芯片。
[步骤11]验算IP
IP=0.9ILIMIT(min)(8)
(1)输入新的KRP值且从最小值开始迭代,直到
KRP=1.0。
(2)检查IP值是否符合要求。
(3)迭代KRP=1.0或IP=0.9ILIMIT(min)。
[步骤12]计算初级电感量LPLP=·(9)
式中:LP的单位取μH。
[步骤13]选择磁芯与骨架并确定相关参数
从厂家提供的磁芯数据表中查出适合该输出功率的磁芯型号,以及
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