MOSFET基础：理解功率MOSFET的RDS(ON)温度系数特性

栅极管脚距离远的区域，则可能是关断速度太慢产生的局部损坏。

在栅极和源极加一个大的电容，在开机的过程中，就会经常发生MOSFET损坏的情况，正是由于额外的大的输入电容造成晶胞单元VGS电压更大的不平衡，从而更容易导致局部的损坏。

结论

1．MOSFET在开通的过程中，RDS(ON)从负温度系数区域向正温度系数区域转化；在其关断的过程中，RDS(ON)从正温度系数区域向负温度系数区域过渡。

2．MOSFET串联等效的栅极和源极电阻的分压作用和栅极电容的影响，造成晶胞单元的VGS的电压不一致，从而导致各个晶胞单元电流不一致，在开通和关断的过程中形成局部过热损坏。

3．快速开通和关断MOSFET，可以减小局部能量的聚集，防止晶胞单元局部的过热而损坏。开通速度太慢，距离栅极管脚较近的区域局部容易产生局部过热损坏，关断速度太慢，距离栅极管脚较远的区域容易产生局部过热损坏。