基于新型器件STIL的浪涌电流限制电路(ICLC)设计
将Pout(max)=85W,η=0.8和Vin(RMS)(min)=85V代入式(2),得Iout(AV)(max)=0.91A。由于STIL02的平均输出电流为2A,故可选用STIL02作为浪涌电流限制器。
3)桥式整流二极管
PFC进入稳压工作后,桥式整流器中只有底部的2只二极管工作。通过二极管的最大平均电流与流过STIL02的最大输出电流(0.91A)相同。整流二极管的平均电流必须高于Iout(AV)(max),考虑到留有足够的余量,可选用正向电流为4A的整流二极管。
PFC升压变换器必须符合IEC61000-4-5电磁兼容(EMC)标准。当在AC线路输入电压上施加一个2kV的浪涌瞬时电压时,施加到桥式二极管上的快速瞬态过电压(FTO)达694V。因此,整流二极管的重复峰值反向电压应当高于该数值,可选择800V。
4)输入保险丝(Fu)
在稳压条件下,通过保险丝的最大电流发生于最低AC线路电压下。其数值为:I=(Pout(max)/η)/Vin(RMS)(min)=(85W/0.8)/85V=1.25A。仅在电流过载期间,保险丝才会熔断。在浪涌期间,所承受的电流由标准(300A/8/20μs)确定。则选择保险丝的额定电流可为6.3A。
2.2.2 STIL02驱动器电路元件的选择
由L6561控制的有源PFC预调节器工作在临界模式。升压电感器数值L=850μH,在采用THOMSON-CSF B1ET2910A(ETD29mm×16mm×10mm)或OREGA 473201A8磁芯(气隙长度为1.25mm)时,初级线圈绕组(采用10×0.2mm绞合线)N1=90T。
1)辅助绕组匝数N2的确定
升压电感器辅助绕组匝数N2可利用式(3)来计算,即
N2=(3)
式中:k=5,用作减小电容器C3两端的纹波电压;
Vout=400V,Vpt(max)=VDC(pt1)(max)=1V,二极管D1的正向压降VD1=VD2=0.7V。
根据式(3),N2=2.62T,选择N2=3T。
2)计算电容C1和C2的容值
PFC升压变换器在通用的AC 85~265V输入电压下工作,电容C1和C2的容值由式(4)确定,即
C1=C2>=?(4)
式中:(Ipt1(max)+Ipt2(max))=20mA;
85V为最低AC线路电压峰值。
将相关数据代入式(4),得C1=C2=210nF。考虑到±20%的离差,可选择C1=C2=330nF。
3)计算电阻R3的数值
PFC升压变换器在临界模式下操作,开关频率不是固定的,而是变化的。R3的阻值选择应保证在最高开关频率(350kHz)时充分充电,所以,R3的电阻值应尽量小一些。在AC线路电压过零附近,开关频率最高。R3的选择可由式(5)确定,即
R3=?(5)
将C1=330nF和fs(max)=350kHz代入式(5)得R3=0.29Ω,选择R3=0.33Ω的标准电阻。
4)R1和R2的选择
R1和R2用作平衡STIL02两个单向开关的引导控制电流。R1和R2不应超过式(6)确定数值,即
R1=R2≤(6)
将已知数据代入式(6)得R1=R2=854Ω,选择R1=R2=820Ω。
5)电容器C3的选择
当PFC电路在AC线路电压接近零时大约1ms的时间内不工作时,要求C3仍能为STIL02提供足够的能量,则C3应不低于式(7)确定的容值,即
C3≥(7)
式中:死区时间tdead=1ms。
根据式(7)计算的结果,C3≥8.2μF。
当AC线路电压过低持续时间tbrownout结束之前,为激活浪涌电流限制功能,STIL02中的开关应当断开。这就要求C3容值应不超过式(8)确定的数值,即
C3≤(8)
通常选择tbrownout=20ns。由于R1=820Ω,C1=220nF,因此C3≤16μF。
根据式(7)和式(8)计算的结果,可以选择C3=10μF,便可以满足tdead和tbrownout两个条件。
6)二极管D1和D2的选择
二极管D1和D2通过的电流都较小,所施加的反向电压也不高,选择BA149足可以满足要求。
3 结语
基于半可控整流桥(HCRB)拓扑结构的STIL器件,与NTC热敏元件等组成浪涌电流限制电路(ICLC)具有诸多优点。事实上,STIL中的单向开关,是采用专门ASDTM工艺集成的高性能SCR,在其控制极电流(Igt)、dv/dt和反向漏电流(Ik)三个参数之间实现了较理想的折衷。这种单向开关的反向功耗是传统HCRB电路中使用的分立非灵敏SCR(触发电流为几个mA)反向功耗(约900mW)的1/100,抗瞬态电压冲击能力(dv/dt)比灵敏SCR(触发电流为几十μA,dv/dt仅约10V/μs)高50~100倍。与独立使用NTC热敏电阻比较,功率损耗大大地降低。当STIL用于80W变换器时,效率比单独使用NTC热敏电阻约提高1.5%。
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