基于Atlas的MFIS结构器件电学性能模拟

忆窗口随应用电压的变化。从图中可以看出，高介电常数为绝缘层jf，MFIS器件的记忆窗口在7 V时达到饱和，而低介电常数为绝缘层时，记忆窗口在15 V时仍未达到饱和。这意味着在一定厚度下，高介电常数的绝缘层能够使MFIS器件的记忆窗口在一个较低的应用电压下达到饱和，从而减小工作电压，使得其与现代集成电路设计工艺相兼容。

4 结束语
利用器件模拟软件Arias，结合饱和状态及非饱和状态下的铁电极化模型，研究了应用电压、绝缘层厚度及材料对MFIS器件的C—V特性及记忆窗口的影响。仿真结果表明，增加应用电压、减小绝缘层厚度及采用高介电常数材料，可以使器件的C—V曲线逐渐变宽，记忆窗口逐渐增大。但是考虑到MFIS器件与现代集成电路的工作电压的兼容性，以及过薄的绝缘层可能会引起的漏电流，使得采用高介电常数的绝缘材料作为MFIS器件的绝缘层成为一个提高MFIS器件性能的有效途径。