功率器件更加智能，高能效功率电子技术新进展

　　工艺与材料的创新

　　随着时间的推移，功率晶体管技术得到了持续的改善。器件的体积不断缩小，功率密度越来越高。在电压高于1 kV的大功率晶体管方面，双极结构已成为首选；低于1 kV电压，特别是频率高于100 kHz时，更多采用的是MOSFET。高于此电压的大电流应用则选择IGBT。

　　开发这类器件的主要挑战在于，在开关频率持续上升时，需要通过减小由导通阻抗导致的导电损耗、降低内部电容，以及改善反向恢复性能，将内部损耗降到最低。由于击穿电压更高及未钳位开关特性（UIS）的缘故，提升击穿强固性也非常重要。

　　以往，开发电压低于40 V的低压MOSFET的重点在于，给定导通阻抗条件下将裸片尺寸减至最小，从而降低单位成本。因此，最重要的质量因子（Figure of Merit， FOM）就是单位为mΩ x mm2的特征导通阻抗（RDS（ON）spec）。由于低压FET中沟道阻抗（channel resistance）对特征导通阻抗有较大影响，业界主要致力于在可用面积上配置尽可能多的FET沟道。平面沟道被垂直“沟槽门”沟道替代，同时使用先进的光刻技术来缩小表面尺寸。

　　但是，减小沟槽FET间距的方法并不能轻松达到采用RDS（ON）xQg（d）定义的关键质量因子，因为单位面积上的导通阻抗方面的改进被单位面积门电荷（Qg）增加所抵消。因此，开发就转向了诸如沟槽FET（带有额外解耦垂直场效电板从漏极屏蔽门极）、沟槽LDMOS（结合了沟槽MOS的紧凑性及背面漏极与LDMOS的较低Qg（d）），以及优化了金属化/封装的LDMOS等架构。

　　虽然多年来基于硅的晶体管有了持续改进，但硅基材料特性上的限制表明，未来十年人们还需要寻求其它可用方案。目前，利用宽带隙材料（氮化镓、碳化硅及钻石）的方案已经出现。这些材料可以提供更好的热特性，开关损耗更低，而且结合了更有吸引力的低导通阻抗（RDS（ON））和高击穿电压（VBD）性能的优势。

　　宽带隙材料也可以在高压应用中实现重大突破。氮化镓和碳化硅的临界击穿场的数量级高于硅，迄今发布的器件也具有热导率更高（比硅高约3倍）的优势。在高于1 kV的应用中碳化硅是首选材料，而氮化镓则最适于电压低于1 kV的应用。然而，仍然需要克服一些技术障碍，如增加硅上厚氮化镓层以提供高额定电压、制造增强模式晶体管及提升可靠性等。预计未来几年，首批高压氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）就会上市。

　　工艺与材料的创新

　　随着时间的推移，功率晶体管技术得到了持续的改善。器件的体积不断缩小，功率密度越来越高。在电压高于1 kV的大功率晶体管方面，双极结构已成为首选；低于1 kV电压，特别是频率高于100 kHz时，更多采用的是MOSFET。高于此电压的大电流应用则选择IGBT。

　　开发这类器件的主要挑战在于，在开关频率持续上升时，需要通过减小由导通阻抗导致的导电损耗、降低内部电容，以及改善反向恢复性能，将内部损耗降到最低。由于击穿电压更高及未钳位开关特性（UIS）的缘故，提升击穿强固性也非常重要。

　　以往，开发电压低于40 V的低压MOSFET的重点在于，给定导通阻抗条件下将裸片尺寸减至最小，从而降低单位成本。因此，最重要的质量因子（Figure of Merit， FOM）就是单位为mΩ x mm2的特征导通阻抗（RDS（ON）spec）。由于低压FET中沟道阻抗（channel resistance）对特征导通阻抗有较大影响，业界主要致力于在可用面积上配置尽可能多的FET沟道。平面沟道被垂直“沟槽门”沟道替代，同时使用先进的光刻技术来缩小表面尺寸。

　　但是，减小沟槽FET间距的方法并不能轻松达到采用RDS（ON）xQg（d）定义的关键质量因子，因为单位面积上的导通阻抗方面的改进被单位面积门电荷（Qg）增加所抵消。因此，开发就转向了诸如沟槽FET（带有额外解耦垂直场效电板从漏极屏蔽门极）、沟槽LDMOS（结合了沟槽MOS的紧凑性及背面漏极与LDMOS的较低Qg（d）），以及优化了金属化/封装的LDMOS等架构。

　　虽然多年来基于硅的晶体管有了持续改进，但硅基材料特性上的限制表明，未来十年人们还需要寻求其它可用方案。目前，利用宽带隙材料（氮化镓、碳化硅及钻石）的方案已经出现。这些材料可以提供更好的热特性，开关损耗更低，而且结合了更有吸引力的低导通阻抗（RDS（ON））和高击穿电压（VBD）性能的优势。

宽带隙材料也可以在高压应用中实现重大突破。氮化镓和碳化硅的临界击穿场的数量级高于硅，迄今发布的器件也具有热导率更高（比硅高约3倍）的优势。在高于1 kV的应用中碳化硅是首选材料，而氮化镓则最适于电压低于1 kV的应用。然而，仍然需要克服一些技术障碍，如增加硅上厚氮化镓层以提供高额定电压、制造增