一种新型高线性度采样开关的设计

采用华虹NEC 0．18 μm MMCMOS工艺，电源电压1．8 V，运用Cadence Spectre软件以及Matlab对电路进行了仿真和FFT性能分析。图5所示为采样保持电路采样率为100 MHz，输入信号为47．94 MHz正弦波时的无杂散动态范围(Spurious Free Dynamic Range，SFDR)FFT分析如图7所示，其SFDR为91 dB。同理仿真得到同等条件下采用普通CMOS对管开关的采样保持电路，其SFDR如图6所示为72dB，通过对比，本文设计的采样开关较普通CMOS开关的采样保持电路的SFDR性能优异，从而实现了设计目标。

3 结束语
设计了一种新型的采样开关，与传统CMOS对管开关相比，其具有更好的线性度，可应用在ADC的采样保持等电路中，以使整个系统达到更好的SFDR。