MOSFET门极驱动电压的优化

Fsw=200kHz且IOUT=20A,采用VGS=9V比采用VGS=5V驱动Q1与Q2能提高整体效率近1.7%。表2中的结果与图7～图10中的计算图形结果完全一致。在本例中,采用VGS=9V驱动Q1与Q2能显著提高整体效率,然而在IOUT低于7A时,效率有所降低。表2中Q1与Q2的总损耗似乎是合理的,然而,每个MOSFET封装的热阻抗也应该考虑在内,这样才能确保连接点温度处于额定的限制范围中。如果连接点温度未超过选定的设计限值,则可进一步提高开关频率。

　　结论

　　---使用给定的一组同步降压功率级设计参数,以9V而不是5V驱动MOSFET门极能够实现高达1.7%的满负载效率增加值。