汽车电子MCU的抗EMI设计与测试方案

路，分别是VDD1(数字IO 供电的5V 电源信号)、VDD2(为ADC和PLL供电的LDO 的5V 电压)、VDD3(数字逻辑LDO的5V电压输入)和VDD4(Flash的5V电压输入)。可单独对每一路电源的干扰噪声进行捕捉，连接方式与1Ω 测试法步骤②相同，如图12所示;

图12 VDD连接150Ω网络145

(3)根据汽车电子MCU应用特点，选取最为典型的PWM、CAN 程序，为了方便以后对众多引脚进行单独测量，将P0、P1、P2(P3未涉及到外设功能复用)端口共24个引脚进行了开关控制，再通过150Ω耦合网络连接到EMI接收机，图13是P0端口的电路原理图，P1和P2的原理图同P0。

图13 IO-P0连接150Ω网络

(4)重复测试多次，得到较多测试样本，经过整理，下面是各个测试情况的说明。

①从电源端口结果来看，区别很小，下面以VDD1为例进行分析说明。VDD1测试选取了ADC和counter(数字计数器)的程序，以比较不同类别的程序对数字供电是否有影响，测试结果如图14、图15所示。

在10MHz和20MHz时钟上对比，ADC最高峰值分别为35.827dBμV、43.517dBμV;counter的最高峰值为35.899dBμV、43.271dBμV。可以得出频率越高，干扰强度越大。但就两类程序横向对比来看，结果基本上一致。另外还发现60~300MHz和550~650MHz两处集中的干扰频谱，可见电源处的干扰在高频附近比较明显。

②PWM 功能测试

双通道模式下，在不同占空比和周期大小情况下，测试对应P口引脚处传导发射强度的大小，测试结果如图16、图17所示。

从图16中的干扰密度可看出时钟对电磁干扰影响程度。在图17中，由于period和duty较长，测试结果相差不大，此时时钟频率变成次要因素，主要因素取决于输出引脚处高低电平变化周期长短。

③CAN功能测试

运行Loopback(回路模式)程序，在不同时钟频率下进行比较，测试结果如图18、图19所示。

从图16~19中观察，随着时钟频率变大，TX和RX端口的传导辐射强度也变大。对于RX端口，10/40MHz频点附近的干扰密度比较大，且在40MHz时候现象更明显，捕捉到连续三个频点(图18右侧标注)，分别是39.060 MHz(71.063dBμV)、39.360MHz(67.447dBμV)、40.020MHz(39.171dBμV)，两个时钟下的峰值都在70~85dBμV 之间，但一般都在10MHz以下，应该是受低频某一频点的影响较明显。

对于TX端口，10/40MHz频点附近的干扰密度没有RX明显，峰值也都在70~85dBμV 之间，且发生在10MHz以下，和RX的特点大致相同。

4、测试结果分析

从测试数据结果可以总结出以下几点:

①在时钟频率上，从10 MHz到40 MHz、77MHz，干扰强度或是密度在整体上都会增加，可以是一小段频谱或者是整个频谱范围内，这与测试对象关系比较大。分析原因不难发现，由于时钟电路产生的时钟信号一般都是周期信号，其频谱是离散的，离散谱的能量集中在有限的频率上，又由于系统中各个部分的时钟信号通常由同一时钟分频、倍频得到，它们的谱线之间也是倍频关系，会重叠起来进而增大辐射的幅值。

②在程序烧写方式上，外部晶振或PLL倍频两种方式测得的结果基本一致，整个频谱范围内没有明显差异，时钟源选择上不会对芯片的电磁干扰强度带来影响。

③从VDD1测试结果来看，除了得出频率越高，干扰强度越大之外，还发现出现干扰的频谱范围分别在60~300MHz和550~650MHz两处，可见电源处的干扰在高频附近比较明显。

④对于PWM 功能，通过配置输出波形周期和占空比大小，会导致在不同时钟下产生的电磁干扰强度有所差异。由于双通道模式下寄存器为16bit(原单通道模式为8bit)，此时周期和占空比可配置的数值变大，PWM 波输出引脚处的高低电平翻转周期就取决于周期和占空比的设置，与时钟的关系变得没有之前如此紧密，时钟变成了次要因素。由此建议在满足功能要求的前提下，使用PWM 功能时尽量将周期和占空比数值变得大一些，这样会较好地改进EMC性能;

⑤对于CAN 总线来讲，通过10 MHz和40MHz时钟对比，当合理地降低时钟工作频率，会使一大段频谱范围内的干扰值降低，从整体上较好的控制EMI带来的影响。

5、结束语

对于微电子行业来说，芯片级电磁兼容性的设计与测试已经成为一个非常重要的主题。实际上，如果不对集成电路电磁辐射及抗扰度方面进行深入的研究，就很难满足电子设备电磁兼容性方面的需要。本文通过对设计方法的引入，并进一步通过测试方案去总结归纳影响电磁发射的因素和原因，从而间接证明了设计方法的必要性和重要性。