一种高精度低温漂带隙基准源设计

图1中低频时的电源电压抑制比为-58.79 dB，其特性曲线如图7所示。
采用共源共栅电流镜后，低频处-72 dB，仿真结果如图8所示，采用共源共栅电流镜能取得较好的电源抑制能力。这是由于共源共栅电流镜能镜像更加精准的电流。

在-40～125℃的温度范围内进行直流扫描，测得一阶温度补偿带隙基准输出电压的温度系数为26×10-6／℃，温度特性曲线如图9所示。

二阶补偿后温度特性曲线如图10所示，在-40～125℃温度范围内温度系数达到10×10-6，通过二阶补偿，温度系数得到较大的提高。但这种电路结构电阻比值的改动，对整个电路的影响较大，对电阻比值的精确度要求较高，在版图设计时需要添加大量的电阻阵列，以便进行微调。

4 结束语
在讨论了带隙基准电压源的基本原理后，设计了一种高精度低温漂的带隙基准电压源。整个电路基于TSMC40 nm CMOS工艺模型进行了温度特性、电源特性的仿真。结果表明，经过二阶补偿后的带隙基准输出电压在温度为-40～125℃的范围内具有10×10-6／℃的温度系数，在电源电压为1．5～3．3 V变化时，基准输出电压变化仅为随电源电压变化仅为0．42 mV，变化率为0．23 mv／V，采用共源共栅电流镜后，带隙基准在低频下的电源电压抑制比为72 dB。