输变电设备的污闪问题分析
时间:11-03
来源:互联网
点击:
由文献[1]知,绝缘子串片数N为污秽设计目标电压值UΦmax与单片绝缘子最大耐受电压Umax的比值,而单片绝缘子最大耐受电压Umax是σ、k的函数,σ、k越大,Umax越小,N越小,反之N越大。σ、k取定值后,按系统重要性考虑的修正系数k1,越大,N越大,即绝缘子串的污秽裕度越大。σ值一般由50%人工污秽耐受电压试验确定。由表1可知,不同国家污秽绝缘设计参数取值不同。σ值不同主要是由不同污秽试验室等价性造成,而k值主要由线路设计闪络概率户值确定。若单串闪络概率户取值偏高,无疑k偏低,Umax偏高;若k1取值偏低,则UΦmax偏低,若p和k1值同时偏低,则N偏低。而我国p、k1取值相对前苏联、美国和日本而言皆偏低,可见N值较小,绝缘子串的绝缘配置偏低,或者说裕度偏校随着大环境的污染,若污秽等级从I级(0.025mg/平方厘米)发展到Ⅲ级(0.1mg/平方厘米),不同型式绝缘子的Umax值下降幅度可达32.2%-44.0%。XP-160型绝缘子长串真型试验结果表明,I级(0.03mg/平方厘米)Umax值(11.81kV)相对于Ⅲ级(0.1mg/平方厘米)Umax值(8.36kV)下降幅度为29.2%,无疑绝缘子串片数相应会增加31.1%-22.7%或34.2%,受杆塔高度限制,必然无法调爬,应在设计基建时将裕度留给运行部门。
- 具扩展频谱频率调制的低EMI DC/DC稳压器电路(12-24)
- EMI/EMC设计讲座(三)传导式EMI的测量技术(07-20)
- 扩展射频频谱分析仪可用范围的高阻抗FET探头(07-14)
- 开关电源基于补偿原理的无源共模干扰抑制技术(08-27)
- 开关电源的无源共模干扰抑制技术(11-12)
- 省电设计使DDS更适合便携应用(12-19)