GaN类功率元件，高耐压成功率半导体主角
时间：01-19
来源：互联网
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尖峰电压导通的可能性较低，但“GaN类晶体管的阈值电压较低，可能会发生误动作”（芝浦工业大学的斋藤）。因此，需要比Si制功率元件更为谨慎地实施尖峰电压对策。关于该课题，斋藤也表示“已经有了解决的眉目”。
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