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AC/DC开关稳压电源应用电路图

时间:05-17 来源:互联网 点击:

9.1.7 1.2W非隔离双输出电源应用电路

1.设计特点

图9-11所示的双输出电源电路具有通用输入电压范围,稳压精度在7V输出时为 ± 8%,-5V输出时为 ±5%(包括线电压、负载变化和容差);带温度补偿;待机功耗低,230V、50mW输出时小于300mW;满足CISPR-22/EN55022B传导EMI限制并有10dB以上的裕量。

2.工作原理

在图9-11所示电路中,R7是阻燃熔断型电阻,在发生故障时起保险丝作用。VD1对交流输入进行整流,C1和C2提供滤波,并且和L1一起构成.型滤波。这种滤波和LinkSwitch-TN(U1)一起提供充足的EMI裕量。在每一个使能开关周期,U1内部的MOSFET导通,使通过L2和C5的电流线性上升。一旦达到内部限流点,MOSFET关断,电感电流通过VD2、C5和C6续流。

通过调整使能和关断周期的比例来实现稳压。一旦进入反馈引脚(FB)的电流超过49μA,就会跳过一个周期。由于这个电流是在1.65V电压时指定的,因此可将这个脚作为一个参考使用。调整R1、R2的阻值,可将C5、C6两端的电压设置为12V。

–5V输出用VD4作参考,通过VT2来稳压。R3设置一个大约为2mA的固定电流,对齐纳二极管VD4进行偏置,从而减小VD4上的电压变化,因此当负载变化时也可以减小– 5V输出的变化。

电阻R4在输出短路的情况下通过限制集电极电流来保护VT2,而R5在 –5V输出空载时维持稳压。尽量将VT1和VT2靠近放置,以跟踪UBE的压降,从而减小输出电压随温度的变化。

这种电路在负载范围限定的应用当中能够很好地工作,可以降低采用线性稳压器方案所带来的效率方面的影响。

3.设计要点

①二极管VD2必须是超快速恢复型,图9-11中选用的MURS160T3G的恢复时间是25ns,稍慢的超快速恢复二极管(不大于50ns)也可以使用,但效率可能降低。VD4应该选择低测试电流的齐纳二极管。管子的初始容差直接影响输出容差,在包括线电压和负载改变的情况下,2%的齐纳二极管可以得到± 5%的稳压。VD4的温度系数是–0.8mV/°C,当温度在0~50°C的范围内变化时,需要增加额外 ±0.4%的变化。为使7V输出精度更高,R1和R2应该用1%精度的元件。假负载R5和R6只有在空载稳压有要求时才需要。

②对于AC230V的应用,可以将C1和C2的容量减小到2.2μF,具体由差模浪涌和EMI的要求来决定。对于100/115VAC的应用,可以将C1和C2的电压降到200V额定电压。

③为了使VT1正确工作,选择R5的阻值以使空载时流过1mA的电流。R4的最大阻值要加以限制,使得VT2上的压降至少为1V。这确保5V输出在满载时VT2在线性范围内工作。

9.1.8 35W反激式开关电源应用电路

图9-12所示的电源电路是一种通用的反激式电源电路,输出功率为35W,采用了TOP258PN器件。交流输入经整流(VD1~VD4)、滤波(C4)后连接到初级侧功率元件(T1和U1)上。EMI滤波由元件R1、R2、C3、L1、C7和C11提供。热敏电阻RT1在交流上电时可以限制浪涌电流。电阻R3和R4将额定欠压(UV)锁定和过压(OV)关断分别限制在103V和450V。欠压锁定可防止电源在低压下出现过热情况,并可消除在通电和断电时的电压扰动。过压关断可防止电源出现输入浪涌情况。

齐纳二极管VD10和电阻R5形成了一个可选的锁存输出过压保护(OVP)电路。输出端电压的增加同时也会导致C10上的偏置绕组输出端电压的增加,齐纳二极管VD10将击穿,电流将流入U1的多功能引脚(M),从而启动迟滞过压关断保护功能,关断锁存与否取决于R5的阻值。

对于极低的功率水平,U1以多周期调制模式进行工作,以达到高的效率,从而降低空载和待机时的功率水平。由于U1具有700V

BVDSS的击穿电压,因此可选择变压器匝数比,从而在12V的输出上选用低成本的60V肖特基二极管(VD7)。输出电压反馈来自两路输出以实现更好的交调稳压。电容C19和电阻R14形成相位提升网络,提供额外的相位裕量,以确保稳定的工作电压和改善的瞬态响应。反馈电流通过U2馈入到U1的控制引脚,这样可以确定占空比,从而提供输出稳压。

二极管VD1和VD3应为快速二极管,以实现更好的EMI性能。如果需要锁存过压保护功能,则应将R5的阻值降低到20Ω。将RCD钳位(R6、R7、C6和VD5)设计为正常工作模式,使轻载时的效率达到最高。齐纳二极管VD9提供预设的最大钳位电压,通常在出现负载瞬变或过载时导通。

次级侧缓冲器(R11、C12、R12和C16)可用于降低高频次级二极管振荡和改善高频传导EMI。二级滤波器(L2/C15和L3/C18)将各输出电压的输出噪音和纹波降低到-1%以下。在三线制输入的系统中,可将Y电容放置在相线/中线与地线之间,以降低共模EMI。软启动电容C20确保在启动时无

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