LED驱动电源单极PFC反激式开关电源的设计（一）

的RCD吸收回路如图三所示：

图三

RCD回路的工作原理是：当MOSFET的漏端电压大于吸收回路二极管D1阴极电压时，二极管D1导通，吸收漏感的电流从而限制漏感尖峰电压。设计中，缓冲电容C1两端的电压Vsn要设定得比反射电压VRO高50--100V,如图四所示，称为漏感电压ΔV, Vsn不能设计太低，设计太低将增加RCD吸收回路功耗。缓冲电容C1的设计根据能量平衡，

图四

IPKPMAX为全电压范围内IPKP的最大值，缓冲电容C1SN要承受大电流尖峰，要求其等效串联电阻ESR很小，R1根据功耗选择合适的W数，阻值一般在47K-120K之间，

,吸收回路二极管D1通常选择快恢复二极管，且导通时间也要求快，反向击穿电压要求大于选择的MOSFET 的击穿电压BVDSS,一般在65W以下应用场合选用额定电流1A的快恢复二极管作为吸收回路二极管。