探讨逆变焊机IGBT炸管的原因及保护措施
BT自锁而失效。
6、栅电阻的取值。在主变内穿一根线,再接入示波器观察,此时应用调压器降低输入电压,将输出短路。看电压尖峰是在前沿还是后沿,后沿的尖峰高表明整流管的恢复速度慢了,需要降低IGBT的导通速度,前沿尖峰过高表明IGBT关断速度过快,也应该降低关断速度。
7、 缓冲电路。初级用RC回路直接接入主变两端,接入点尽量靠近IGBT,次级也用RC回路,接于二极管两端。
一般来讲,大功率最好选择全桥电路,主开关元件开关应力最小。单向偏磁在电流型IC的控制下不复存在,主变连接时无需隔直电容。
注意:电流型控制不能用于半桥电路!电感的确定:正常情况下按3000/f(KHz)=微亨来计算。例如100KHz、30微亨、25KHz、120微亨。制作电感时注意电感电流容量以及磁通是否会饱和,一旦磁通饱和的话,不会烧IGBT,但是电弧特性明显变差,严重时将会频繁断弧,120-170微亨,400A的电感采用60*60*200 的矩形铁芯,用4*10的丝包扁铜线立绕,绕满时电感量就约为170微亨,采用此方法制作的手工焊机电弧稳定,起弧容易,电流不过冲。最大程度的保证了焊接工艺的稳定。大家可以在此基础上再发展出其他品种的焊机,例如CO2焊机,只要把送丝机的速度控制改成弧长反馈就可以得到变速送丝CO2焊机,他将具有下降特性的所有优点,最明显的就是飞溅极小,是因为短路时无过冲电流而得到的。改变UC3846放大器的参数,甚至还可以做到短路过渡时电流为一个很小的值,短路恢复后立刻起弧,进入下一个过程。
电流型PWM的印刷版走线是很讲究的,要注意地线的走向和接地点的选择。通常来说,要避免功率地和信号地平行走线。对于UC3846来说,接地点是应该接 在高频退耦电容的地端,用星型接地法,使地线呈放射状散开,另外因为UC3846的功率地和信号地是共用的,所以高频退耦电容还应该尽量贴近IC的接地端 安装。这个高频退耦电容通常使用1微法的聚丙烯叠层电容为最好。高频应用时,UC3846是可以直接驱动脉冲变压器的,电路比较简单,如果是要带功率扩展 的话,最好是在他的输出端对地反接一个肖特基二极管,防止地电位变负。
注意:UC3846是高敏感度IC,他的内部有多个超高速放大器。他的安装位置要远 离干扰源,必要时,使用硅钢片屏蔽罩也是一个不错的选择。
关于绝缘栅类的开关元件其驱动电路的关断速度均需很快,开关元件的开关速度靠调整栅级电阻来调整。其典型驱动电路请参照MOTOROLA公司的专著 --TMOS功率场效应管一书,他是采用二极管单向整流,PNP晶体管放电关断的办法,速度很快。典型值可达100ns。这就好比你让宝马跑 160KM/h是很容易的事,让夏利去就费力了。在这个基础上才谈得上去调整驱动速度。从成本来说,整套全桥脉冲变压器驱动线路成本都比不上诸如 M57962等等驱动IC的一半价钱,线路又简单,何乐而不为呢?这种驱动电路对MOS和IGBT都通用。
新出的UC3825就比较容易布线。他的功率地和信号地是分开的。用UC3846时地线铜箔宜宽不宜窄,功率地到接地点走线越短越好。此外还需要将线路板的铜箔加厚,尽可能的减少地电阻和地电感。有条件的可以采用三层板,中间层作为地线层,性能可以大幅度提高。
脉冲变压器驱动电路有一个其他电路不具备的优点,即永远不可能出现桥臂直通现象。脉冲变压器不可能将四路电平全部出高,只能是交替出高电平,只要死区时间 足够就永不发生共同导通现象。而用驱动片驱动时,一旦PWM出错,极有可能两路全高造成桥臂直通(常有的事),瞬间就会造成IGBT自锁,这时候片内保护电路是无能为力的,只能傻傻的看着IGBT炸掉。就算不至于自锁也会发生二次击穿(IGBT也有二次击穿,只不过耐量比GTR高得多,他本质上还是 GTR。MOSFET也有,但是比SOA宽得多,一般只是在极高的电压瞬变时发生,典型值为30V/ns,一般不予考虑),结果也是一样。下面我把自己的电镀电源的经验写出来,我的电镀电源容量不太大,是交直流方波输出的,电压为12V,电流为200A,调制频率400-1500Hz。曾经改成过100A铝焊机,效果良好。
控制取UC3846,直接驱动脉冲变压器。
主电路还是老一套,因为容量小,才用了4只IRF360(25A/400V)作为全桥四臂,反馈取样都还是一样,主变取TDK/EI70磁心,整流管取IR的肖特基管400A/100V,全波整流,工作频率110KHz。
所不同的是输出滤波电感量很大,达120微亨。二次逆变采用全桥输出,开关管选择IXYS公司的场效应管IXFN75N10,每臂6只。满载压降仅为1.3V,因此散热器不太大。
为什么要使用低压场效应管全桥作为二次逆变?而不是通常的半桥IGBT逆变?
这是因为:
1、从静态功耗上计
- 全桥逆变电路在焊接电源中的应用(08-04)
- 隔离式MOSFET驱动器集成电路的功率效率在轻负载时得到改善(07-31)
- 即将普及的碳化硅器件(10-19)
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- 利用低端栅极驱动器IC进行系统开发(12-21)
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