在高频降压转换器的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）

工作在2/3开关频率，基于MOSFET的转换器仍然比基于氮化镓场效应晶体管的硬开关降压转换器的效率低出1.5 %至3%。

图5：使用氮化镓场效应晶体管、28 V转3.3 V、15 A、工作于1 MHz频率的降压转换器的开关节点波形图

图6：基于氮化镓场效应晶体管的硬开关降压转换器与基于MOSFET器件软开关降压转换器的效率的比较

结论

本章讨论了死区时间对高频降压转换器的影响及如何缓和影响的方法。我们实现了一个简单的方法，使用恒定死区时间，工作在1 MHz频率的基于氮化镓场效应晶体管的降压转换器与基于MOSFET器件的软开关降压转换器相比，前者工作在接近相同的开关频率下可大大改善效率。

eGaN是宜普电源转换公司的注册商标。