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变频调速系统中过流保护电路设计与应用

时间:11-30 来源: 电子产品世界 点击:

作,不输出PWM驱动波形,从而保护主电路。从(b)图看出,横轴每格5μs,该保护电路的保护延时时间为8μs。查看MOSFET手册,可知这两项测试结果均符合要求。

4 结论

设计三相交流变压变频调速系统的过流保护电路时,兼顾考虑了电源系统,用两个DC-DC电源转换模块分别产生所需要的电平,随后通过实验测试,确定过流保护电路的保护阈值为1V,保护延时为8μs,所设计的过流保护电路符合主电路MOSFET要求。

参考文献:

[1]尹聪.一种新颖的变频调速系统控制方法的理论与实验研究[D].西安:西安工程大学,2012.

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本文来源于中国科技核心期刊《电子产品世界》2016年第11期第62页,欢迎您写论文时引用,并注明出处。

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