变频调速系统中过流保护电路设计与应用
时间:11-30
来源: 电子产品世界
点击:
作,不输出PWM驱动波形,从而保护主电路。从(b)图看出,横轴每格5μs,该保护电路的保护延时时间为8μs。查看MOSFET手册,可知这两项测试结果均符合要求。
4 结论
设计三相交流变压变频调速系统的过流保护电路时,兼顾考虑了电源系统,用两个DC-DC电源转换模块分别产生所需要的电平,随后通过实验测试,确定过流保护电路的保护阈值为1V,保护延时为8μs,所设计的过流保护电路符合主电路MOSFET要求。
参考文献:
[1]尹聪.一种新颖的变频调速系统控制方法的理论与实验研究[D].西安:西安工程大学,2012.
[2]贺倩.基于DSP的新型交流调速数字控制系统的实现及实验研究[D].西安:西安工程大学,2012.
[3]张海亮,陈国定,夏德印.IGBT过流保护电路设计[J].机电工程, 2012, 29(8):966-970.
[4]赵卫.开关电源的过流保护电路[J].电子科技,2011, 24(6):116-117.
[5]何秀华,杨景红.大功率IGBT驱动电路的设计[J].信息化研究, 2008, 34(9):20-22.
[6]王兆安,刘进军.电力电子技术[M].第5版.机械工业出版社,2009.
本文来源于中国科技核心期刊《电子产品世界》2016年第11期第62页,欢迎您写论文时引用,并注明出处。
- 变频器和变频电源的工作原理及区别介绍(12-09)
- 基于DDS的变频精密脉冲型电源系统设计(12-09)
- 简述交流变频电源基本知识与选择参考(12-08)
- 变频器应用时的12个技巧(12-08)
- 浅析变频电源与变频器的区别(12-08)
- 变频电源的定期维护要点及其注意事项(12-08)