功率LDM0 S中的场极板设计

近漏极一端的电场峰值减小，即整个场板区的电势降落随场板电压的增大而增大。而其他区域的电场随场板电压变化不大。因此对于LDMOS场板电压的控制也是器件设计的一个重要因素。

3 结论
本文根据LDMOS器件漂移区电场分布和电势分布的二维解析模型，通过分段求解泊松方程得出了器件漂移区表面电势分布和电场分布的解析表达式，并根据所得的表达式分析了LDMOS一阶场板的长度和位置以及场板所加电压对于其漂移区表面电势和电场分布的影响。计算结果表明，LDMOS的场板各参数对于器件的性能有很大影响。因此，本文的分析模型对于实际LDMOS器件的设计有着重要的指导意义。