SiC衬底X波段GaN MMIC的研究

4 结论
本文采用国内研制的6H-SiC衬底，自主研制高输出功率GaN MMIC。采用GaAs功率器件的Materka模型提取的A1GaN／GaN HEMT大信号建模，应用到GaN MMIC的设计中，得到较好的研究结果。利用混合套刻工艺研制出电路芯片，连续波在9．1~10．1 GHz内，输出功率大于lO W，首次研制出国产6H-SiC衬底的x波段GaN MMIC，其输出功率达到国内领先水平。